[发明专利]一种存储器阵列结构及其参考电流产生方法在审
| 申请号： | 201710885049.3 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107591181A | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/30 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器阵列结构及其参考电流产生方法，该存储器阵列结构包括第一存储器区块，用于存储数字信息和在第二存储区块的存储单元读出时产生参考电流；第二存储器区块，用于存储数字信息和在第一存储区块的存储单元读出时产生参考电流；行译码电路，用于在选定所需存储单元时将对应地址转换为对应行的电压；字线切换电路，用于在读出时选择被选中存储单元所在存储区块以外的存储区块的参考存储扇区对应列的参考存储单元；列译码电路，用于在选定所需存储单元时将对应地址转换为对应列的电压，通过本发明，可实现一种既可以跟踪字线等电压的变化，也可避免编程串扰的存储器阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 阵列 结构 及其 参考 电流 产生 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器阵列结构，包括：第一存储器区块，用于存储数字信息和在第二存储区块的存储单元读出时产生参考电流；第二存储器区块，用于存储数字信息和在第一存储区块的存储单元读出时产生参考电流；行译码电路，用于在选定所需存储单元时将对应地址转换为对应行的电压；字线切换电路，用于在读出时选择被选中存储单元所在存储区块以外的存储区块的参考存储扇区对应列的参考存储单元；列译码电路，用于在选定所需存储单元时将对应地址转换为对应列的电压。
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