[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法在审
| 申请号： | 201710883706.0 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107946419A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的低温缓冲层、3D成岛层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层、P型层，3D成岛层包括由第一子层和第二子层构成的超晶格结构，第一子层为采用摩尔比为第一比值的五族元素和三族元素制成的GaN层，第二子层为采用摩尔比为第二比值的五族元素和三族元素制成的GaN层，第二比值为第一比值的1.5‑5倍。本发明中3D成岛层在三维生长模式和二维生长模式中变换生长，可以得到清晰的横向生长和垂直方向生长的界面，从而可以减小线缺陷的密度，提高发光二极管的晶体质量，进而提高LED的抗静电能力和发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、3D成岛层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层、P型层，其特征在于，所述3D成岛层包括由第一子层和第二子层构成的超晶格结构，所述第一子层为采用摩尔比为第一比值的五族元素和三族元素制成的GaN层，所述第二子层为采用摩尔比为第二比值的五族元素和三族元素制成的GaN层，所述第二比值为所述第一比值的1.5‑5倍。
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