[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法在审
申请号: | 201710883706.0 | 申请日: | 2017-09-26 |
公开(公告)号: | CN107946419A | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 姚振;从颖;胡加辉;李鹏 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | H01L33/04 | 分类号: | H01L33/04;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人: | 徐立 |
地址: | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片,所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、3D成岛层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层、P型层,其特征在于,
所述3D成岛层包括由第一子层和第二子层构成的超晶格结构,所述第一子层为采用摩尔比为第一比值的五族元素和三族元素制成的GaN层,所述第二子层为采用摩尔比为第二比值的五族元素和三族元素制成的GaN层,所述第二比值为所述第一比值的1.5-5倍。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片,其特征在于,所述超晶格结构的周期为2-10。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片,其特征在于,所述3D成岛层中紧贴所述低温缓冲层的部分为所述第一子层。
4.一种发光二极管外延片的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:
提供一衬底;
在衬底上依次生长低温缓冲层、3D成岛层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层、P型层,所述3D成岛层包括由第一子层和第二子层构成的超晶格结构,所述第一子层为采用摩尔比为第一比值的五族元素和三族元素制成的GaN层,所述第二子层为采用摩尔比为第二比值的五族元素和三族元素制成的GaN层,所述第二比值为所述第一比值的1.5-5倍。
5.根据权利要求4所述的制造方法,其特征在于,所述超晶格结构的周期为2-10。
6.根据权利要求4或5所述的制造方法,其特征在于,所述3D成岛层中紧贴所述低温缓冲层的部分为所述第一子层。
7.根据权利要求4或5所述的制造方法,其特征在于,所述第一子层的生长时间与所述第二子层的生长时间相同。
8.根据权利要求7所述的制造方法,其特征在于,所述第一子层和所述第二子层的生长时间均为15-20min。
9.根据权利要求4或5所述的制造方法,其特征在于,所述第一子层的生长压力比所述第二子层的生长压力高50-400torr。
10.根据权利要求4或5所述的制造方法,其特征在于,所述第一子层的生长温度比所述第二子层的生长温度高10-30℃。
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