[发明专利]功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法有效
| 申请号： | 201710879479.4 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107871672B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | E·菲尔古特;M·格鲁贝尔;O·霍尔菲尔德;M·莱杜特克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 侯鸣慧 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一方面涉及一种方法，在该方法中产生第一开口，该第一开口延伸到连接物质内，该连接物质使第一半导体芯片和金属板材料锁合地相互连接。第一开口如此产生，使得在第一开口中露出第一半导体芯片的第一负载电极。此外，产生第一导电连接部，该第一导电连接部接触在第一开口中露出的第一负载电极并且与金属板导电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
方法，所述方法具有：产生第一开口，该第一开口延伸到介电的连接物质中，该连接物质将第一半导体芯片和金属板材料锁合地相互连接，使得在所述第一开口中露出所述第一半导体芯片的第一负载电极；并且产生第一导电连接部，该第一导电连接部接触所述第一半导体芯片的在所述第一开口中露出的所述第一负载电极并且将该第一负载电极与所述金属板导电地连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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