[发明专利]一种50μm铜柱的封装方法在审
| 申请号： | 201710879079.3 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107871674A | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 于政;方梁洪;罗立辉;李春阳 | 申请（专利权）人： | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所31233 | 代理人： | 黄志达,魏峯 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种50μm铜柱的封装方法，包括清洗、钝化、溅射、涂覆光阻层、电镀和回流。本发明优化了工艺流程，降低了封装成本，减小了芯片尺寸，顺应了市场对微电子产品日益轻、薄、短、小和低价化要求；同时进一步缩小了引脚间距，增加了单颗芯片上的引脚数目即I/O数量，满足了电子产品的高度精微化，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 50 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种50μm铜柱的封装方法，包括：(1)清洗晶圆去除表面的异物和脏污；(2)在晶圆表面涂覆再钝化层作为缓冲层；(3)在再钝化层表面溅射铜、钛种子层；(4)在铜、钛种子层表面涂覆光刻胶作为光阻层；其中涂覆光刻胶包括匀胶、甩胶及甩边；(5)通过ECD电镀铜柱和锡帽；其中，电镀铜柱采用的是SC28铜电镀液；(6)最后将电镀的锡回流成球形即可。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
