[发明专利]一种50μm铜柱的封装方法在审
| 申请号： | 201710879079.3 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107871674A | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 于政;方梁洪;罗立辉;李春阳 | 申请（专利权）人： | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所31233 | 代理人： | 黄志达,魏峯 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 50 封装 方法 | ||
1.一种50μm铜柱的封装方法，包括：
(1)清洗晶圆去除表面的异物和脏污；
(2)在晶圆表面涂覆再钝化层作为缓冲层；
(3)在再钝化层表面溅射铜、钛种子层；
(4)在铜、钛种子层表面涂覆光刻胶作为光阻层；其中涂覆光刻胶包括匀胶、甩胶及甩边；
(5)通过ECD电镀铜柱和锡帽；其中，电镀铜柱采用的是SC28铜电镀液；
(6)最后将电镀的锡回流成球形即可。
2.根据权利要求1所述的一种50μm铜柱的封装方法，其特征在于：所述步骤(4)中的涂覆光刻胶的量为5-10ml。
3.根据权利要求1所述的一种50μm铜柱的封装方法，其特征在于：所述步骤(4)中的匀胶速率为750-800rpm，匀胶时间为10-15s；甩胶速率为350-400rpm，甩胶时间为20-25s；甩边速率为500-600rpm，甩边时间为2-4s。
4.根据权利要求1所述的一种50μm铜柱的封装方法，其特征在于：所述步骤(5)中的SC28铜电镀液的组成为：铜26-30g/L，硫酸150-250g/L，氯离子30-50mg/L，光亮剂MD 2-8ml/L，平整剂LO 1-4ml/L。
5.根据权利要求1所述的一种50μm铜柱的封装方法，其特征在于：所述步骤(5)中的电镀使用的电流密度为4ASD。
6.根据权利要求1所述的一种50μm铜柱的封装方法，其特征在于：所述步骤(5)中电镀铜柱前预浸十三次。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
