[发明专利]双面SiP三维封装结构有效
| 申请号： | 201710875230.6 | 申请日： | 2017-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN107768349B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 林耀剑 | 申请（专利权）人： | 江苏长电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/48;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 赵海波 |
| 地址： | 214434 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双面SiP三维封装结构，它包括核心转接板（1），所述核心转接板（1）正面贴装有扇出型晶圆级封装结构（2）、第一被动元件（3）和第一3D导电部件（4），所述核心转接板（1）背面贴装有芯片（7）、第二被动元件（8）和第二3D导电部件（6），所述第二3D导电部件（6）背面设置有第一焊球（10），所述封装结构顶面和侧面设置有屏蔽层（15），所述第一3D导电部件（4）正面处的屏蔽层（15）设置有开口（16）。本发明能够使用预制的3D导电部件成为堆叠封装的支撑结构，将3D导电部件作为电磁屏蔽的接地端，可以降低封装模组的尺寸高度，提高封装模组的高频性能，有效的防止电磁干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 sip 三维 封装 结构 | ||
【主权项】：
1.一种双面SiP三维封装结构，其特征在于：它包括核心转接板（1），所述核心转接板（1）正面贴装有扇出型晶圆级封装结构（2）和第一被动元件（3），所述扇出型晶圆级封装结构（2）和第一被动元件（3）外围设置有第一3D导电部件（4），所述扇出型晶圆级封装结构（2）、第一被动元件（3）和第一3D导电部件（4）外包封有第一塑封料（5），第一3D导电部件（4）正面露出于第一塑封料（5），所述核心转接板（1）背面贴装有芯片（7）和第二被动元件（8），所述芯片（7）和第二被动元件（8）外围设置有第二3D导电部件（6），所述芯片（7）、第二被动元件（8）和第二3D导电部件（6）外包封有第二塑封料（9），所述第二3D导电部件（6）背面露出于第二塑封料（9），所述第二3D导电部件（6）背面设置有第一焊球（10），所述封装结构顶面和侧面设置有屏蔽层（15），所述第一3D导电部件（4）正面处的屏蔽层（15）设置有开口（16）。
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