[发明专利]双面SiP三维封装结构

说明书

本发明涉及一种双面SiP三维封装结构，它包括核心转接板（1），所述核心转接板（1）正面贴装有扇出型晶圆级封装结构（2）、第一被动元件（3）和第一3D导电部件（4），所述核心转接板（1）背面贴装有芯片（7）、第二被动元件（8）和第二3D导电部件（6），所述第二3D导电部件（6）背面设置有第一焊球（10），所述封装结构顶面和侧面设置有屏蔽层（15），所述第一3D导电部件（4）正面处的屏蔽层（15）设置有开口（16）。本发明能够使用预制的3D导电部件成为堆叠封装的支撑结构，将3D导电部件作为电磁屏蔽的接地端，可以降低封装模组的尺寸高度，提高封装模组的高频性能，有效的防止电磁干扰。

技术领域

本发明涉及一种双面SiP三维封装结构，属于半导体封装技术领域。

背景技术

根据半导体技术的发展，电子器件变得微型化并且越来越轻以满足用户的需求，因此，用于实现与单个封装相同或不同的半导体芯片的多芯片封装技术得到增强。与半导体芯片所实现的封装相比，多芯片封装就封装大小或重量以及安装过程而言是有利的，具体地讲，多芯片封装主要应用于要求微型化和减重的便携式通信终端。

但是随着封装制程中的高密度线路、多种封装材料的使用、以及各种芯片以及功能器件的使用，使得整个封装体很复杂，各种材质的搭配不易平衡，容易导致整体的翘曲变形。

另外现今的电子产品中所使用到的电子电路元件皆须具备电磁屏蔽结构。其主要用途为防止各种电路元件之间的互相产生的电磁干扰现象发生。在电子产品之中，惟有具备优秀的电磁屏蔽结构才得以稳定且具备高可靠度的运作，并且受到使用者信赖与青睐。如何防止电磁干扰也是需要在模组封装中需要考虑的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种双面SiP三维封装结构，它能够使用预制的3D导电部件成为堆叠封装的支撑结构，将3D导电部件作为电磁屏蔽的接地端，模组中使用晶圆级封装和其他器件的组合，可以降低封装模组的尺寸高度，提高封装模组的高频性能，有效的防止电磁干扰。

本发明解决上述问题所采用的技术方案为：一种双面SiP三维封装结构，它包括核心转接板，所述核心转接板正面贴装有扇出型晶圆级封装结构和第一被动元件，所述扇出型晶圆级封装结构和第一被动元件外围设置有第一3D导电部件，所述扇出型晶圆级封装结构、第一被动元件和第一3D导电部件外包封有第一塑封料，第一3D导电部件正面露出于第一塑封料，所述核心转接板背面贴装有芯片和第二被动元件，所述芯片和第二被动元件外围设置有第二3D导电部件，所述芯片、第二被动元件和第二3D导电部件外包封有第二塑封料，所述第二3D导电部件背面露出于第二塑封料，所述第二3D导电部件背面设置有第一焊球，所述封装结构顶面和侧面设置有屏蔽层，所述第一3D导电部件正面处的屏蔽层设置有开口。

所述开口连接外部封装体或功能器件。

所述扇出型晶圆级封装结构和第一被动元件位于同一水平线上，所述芯片和第二被动元件位于同一水平线上，所述扇出型晶圆级封装结构和第二被动元件位于同一垂直线上，所述第一被动元件和芯片位于同一垂直线上。

所述封装结构下方设置有第一基板，所述封装结构通过第一金属球与第一基板正面相连接，所述第一基板背面设置有第二焊球，所述封装结构与第一基板之间设置有底部填充胶。

一种双面SiP三维封装结构，它包括核心转接板，所述核心转接板正面贴装有扇出型晶圆级封装结构和第一被动元件，所述扇出型晶圆级封装结构和第一被动元件外围设置有金属凸块，所述扇出型晶圆级封装结构、第一被动元件和金属凸块外包封有第一塑封料，所述核心转接板背面贴装有芯片和第二被动元件，所述芯片和第二被动元件外围设置有第二3D导电部件，所述芯片、第二被动元件和第二3D导电部件外包封有第二塑封料，所述第二3D导电部件背面设置有第一焊球，所述封装结构顶面和侧面设置有屏蔽层，所述核心转接板的线路层与侧面的屏蔽层相连接。

与现有技术相比，本发明的优点在于：