[发明专利]基板处理方法和基板处理装置在审
| 申请号： | 201710873010.X | 申请日： | 2017-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN107871657A | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 金松泰范 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 向勇,崔炳哲 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基板处理方法和基板处理装置，一边防止气泡卷入在基板的表面形成的图案的凹部，一边将填充剂良好地填充于凹部。基板处理方法包括液膜形成工序，在基板中的形成有图案的图案形成面形成冲洗液的液膜；积液形成工序，在基板的旋转中心附近，向液膜供给有机溶剂来形成有机溶剂的积液；置换工序，一边使基板以与积液形成工序相比更大的转速旋转，一边向积液供给有机溶剂，从而将构成液膜的冲洗液置换为有机溶剂；涂敷工序，在被有机溶剂覆盖的图案形成面涂敷填充剂溶液；以及，填充工序，使在图案形成面涂敷的填充剂溶液所包含的填充剂，向图案的凹部下沉来进行填充。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，其特征在于，包括：液膜形成工序，在基板中的形成有图案的图案形成面形成冲洗液的液膜；积液形成工序，在所述基板的旋转中心附近，向所述液膜供给有机溶剂来形成所述有机溶剂的积液；置换工序，一边使所述基板以与所述积液形成工序相比更高的转速旋转，一边向所述积液供给所述有机溶剂，从而将构成所述液膜的所述冲洗液置换为所述有机溶剂；涂敷工序，在被所述有机溶剂覆盖的所述图案形成面涂敷填充剂溶液；以及，填充工序，使在所述图案形成面涂敷的所述填充剂溶液所包含的填充剂，向所述图案的凹部下沉来进行填充。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团，未经株式会社斯库林集团许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710873010.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
