[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置有效
申请号: | 201710865321.1 | 申请日: | 2017-09-22 |
公开(公告)号: | CN107564929B | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 邓群雄;汪洋;柯志杰;陈凯轩;卓祥景 | 申请(专利权)人: | 厦门乾照光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李婷婷;王宝筠 |
地址: | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置,其中阵列基板上制作具有二维电子气层的开关管和LED形成的发光单元,通过给开关管的第三电极层施加电压,控制二维电子气层的夹断或打开,从而控制开关管的第一电极层和第二电极层的断开或导通,其中,开关管的第二电极层与LED的P型半导体层上的透明导电层电性连接,而LED的N型半导体层与第三传输线相连,在第三传输线上通电,控制第三电极层的电势,进而控制LED的P型半导体层和N型半导体层上的电流,进而控制LED的点亮或关闭,从而达到显示画面的目的。由于二维电子气层的高迁移率,可以使得开关管小型化,进而实现LED作为小型电子设备的高分辨率显示屏幕。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:基板,所述基板的一个表面上形成有整层的N型半导体层,所述基板包括布线区、开关区和显示区;位于所述布线区的基板上,且交叉绝缘设置的多条第一传输线和多条第二传输线,多条所述第一传输线和多条所述第二传输线限定出多个像素单元;位于所述布线区的基板上,与所述第一传输线交叉绝缘设置的第三传输线;所述第一传输线和所述第二传输线均与所述N型半导体层绝缘设置,所述第三传输层与所述N型半导体层欧姆接触;每个所述像素单元均分为所述开关区和所述显示区,所述开关区设置有开关管,所述显示区设置有发光单元;位于所述基板上,且沿背离所述基板的方向上:所述发光单元包括依次设置的发光层和P型半导体层、透明导电层和绝缘层;所述开关管包括依次设置的所述发光层、所述P型半导体层、第一膜层、第二膜层、所述绝缘层,以及与所述绝缘层同层设置且并列排布的第一电极层、第二电极层,所述第一电极层、所述第二电极层均与所述第二膜层欧姆接触,与所述绝缘层同层设置或位于所述绝缘层背离所述基板的表面上的第三电极层,所述第三电极层与所述第二膜层肖特基接触或绝缘;其中,所述第一膜层和所述第二膜层之间形成有二维电子气层,所述第一电极层与所述第二传输线电性连接,所述第二电极层与所述发光单元的所述透明导电层电性连接,所述第三电极层与所述第一传输线电性连接,所述第三电极层用于控制所述第一电极层和所述第二电极层通过所述二维电子气层导通或关闭,以控制所述发光单元的点亮或关闭。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门乾照光电股份有限公司,未经厦门乾照光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710865321.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的