[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板，所述基板的一个表面上形成有整层的N型半导体层，所述基板包括布线区、开关区和显示区；

位于所述布线区的基板上，且交叉绝缘设置的多条第一传输线和多条第二传输线，多条所述第一传输线和多条所述第二传输线限定出多个像素单元；

位于所述布线区的基板上，与所述第一传输线交叉绝缘设置的第三传输线；

所述第一传输线和所述第二传输线均与所述N型半导体层绝缘设置，所述第三传输层与所述N型半导体层欧姆接触；

每个所述像素单元均分为所述开关区和所述显示区，所述开关区设置有开关管，所述显示区设置有发光单元；

位于所述基板上，且沿背离所述基板的方向上：

所述发光单元包括依次设置的发光层和P型半导体层、透明导电层和绝缘层；

所述开关管包括依次设置的所述发光层、所述P型半导体层、第一膜层、第二膜层、所述绝缘层，以及与所述绝缘层同层设置且并列排布的第一电极层、第二电极层，所述第一电极层、所述第二电极层均与所述第二膜层欧姆接触，与所述绝缘层同层设置或位于所述绝缘层背离所述基板的表面上的第三电极层，所述第三电极层与所述第二膜层肖特基接触或绝缘；

其中，所述第一膜层和所述第二膜层之间形成有二维电子气层，所述第一电极层与所述第二传输线电性连接，所述第二电极层与所述发光单元的所述透明导电层电性连接，所述第三电极层与所述第一传输线电性连接，所述第三电极层用于控制所述第一电极层和所述第二电极层通过所述二维电子气层导通或关闭，以控制所述发光单元的点亮或关闭。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述N型半导体层为N型GaN层，所述P型半导体层为P型GaN层；所述第一膜层为GaN层，所述第二膜层为AlGaN层。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层的材质相同，均为Ti/Al/Ti/Au的叠层结构；所述第三电极层的材质为Pt/Au的叠层结构；所述第一传输线、所述第二传输线、所述第三传输线的材质相同，均为Cr/Au的叠层结构或者Ni/Au的叠层结构。

4.一种阵列基板制作方法，其特征在于，用于制作形成权利要求1-3任意一项所述的阵列基板，所述阵列基板制作方法包括：

提供基板，所述基板包括显示区、开关区和布线区；

在所述基板上依次外延生长发光二极管外延结构、第一膜层和第二膜层，其中，所述发光二极管外延结构至少包括N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述第一膜层和所述第二膜层之间形成二维电子气层，且所述第一膜层的晶格和所述第二膜层的晶格与所述发光二极管外延结构的晶格匹配；

去除所述布线区以及所述显示区和所述开关区之间区域的所述第二膜层、所述第一膜层、所述P型半导体层、所述发光层，暴露出所述布线区的N型半导体层；并去除所述显示区对应的所述第二膜层和所述第一膜层，暴露出所述显示区的P型半导体层；

在暴露出的所述P型半导体层上形成透明导电层；

在所有暴露的结构表面上形成绝缘层；

在所述开关区上形成相互绝缘的第一电极层、第二电极层和第三电极层，所述第一电极层、所述第二电极层均与所述第二膜层欧姆接触，所述第三电极层与所述第二膜层绝缘或肖特基接触；

在所述布线区形成第一传输线、第二传输线、第三传输线和连接金属线，其中，所述第一传输线和所述第二传输线交叉绝缘设置，且均位于所述绝缘层上，所述第一传输线与所述第三电极层电性连接，所述第二传输线与所述第一电极层电性连接，所述第三传输线与所述第一传输线平行绝缘设置，且所述第三传输线穿过所述绝缘层与所述N型半导体层欧姆接触，所述连接金属线连接所述第二电极层和所述透明导电层。