[发明专利]含有三维存储阵列的三维计算芯片在审
| 申请号： | 201710864911.2 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN109545783A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 成都海存艾匹科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出一种含有三维存储（3D‑M）阵列的三维计算（3D‑COM）芯片。不同于传统的、计算数据的存储，3D‑COM中3D‑M阵列主要用于计算参数的存储。一个3D‑COM芯片含有成千上万个储算单元，每个储算单元在微尺度下实现3D‑M阵列和微计算核之间的三维集成，并实现超大规模平行计算。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 三维存储阵列 计算参数 计算数据 计算芯片 三维存储 三维集成 传统的 微尺度 平行 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种三维计算（3D‑COM）芯片(200)，其特征在于含有：一含有多个晶体管的半导体衬底(0)；多个形成在在该半导体衬底(0)上的储算单元(100aa‑100mn)，每个储算单元(100ij)含有至少一三维存储 (3D‑M)阵列(170)和一微计算核(180)，其中：所述3D‑M阵列(170)堆叠在该微计算核(180)上方，该3D‑M阵列(170)存储至少一计算参数；所述微计算核(180)位于该衬底(0)中，该微计算核(180)利用该计算参数进行计算；所述3D‑M阵列(170)和所述微计算核(180)通过多个接触通道孔(1av, 3av)电耦合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
