[发明专利]含有三维存储阵列的三维计算芯片

权利要求书

1.一种三维计算（3D-COM）芯片(200)，其特征在于含有：

一含有多个晶体管的半导体衬底(0)；

多个形成在在该半导体衬底(0)上的储算单元(100aa-100mn)，每个储算单元(100ij)含有至少一三维存储 (3D-M)阵列(170)和一微计算核(180)，其中：

所述3D-M阵列(170)堆叠在该微计算核(180)上方，该3D-M阵列(170)存储至少一计算参数；

所述微计算核(180)位于该衬底(0)中，该微计算核(180)利用该计算参数进行计算；

所述3D-M阵列(170)和所述微计算核(180)通过多个接触通道孔(1av, 3av)电耦合。

2.一种三维计算（3D-COM）芯片(200)，其特征在于含有：

一含有多个晶体管的半导体衬底(0)；

多个形成在在该半导体衬底(0)上的储算单元(100aa-100mn)，每个储算单元(100ij)含有至少一三维存储 (3D-M)阵列(170)和一微计算核(180)，其中：

所述3D-M阵列(170)堆叠在该微计算核(180)上方，该3D-M阵列(170)存储至少一计算参数；

所述微计算核(180)位于该衬底(0)中，该微计算核(180)含有一加法电路并利用该计算参数进行计算；

所述3D-M阵列(170)和所述微计算核(180)通过多个接触通道孔(1av, 3av)电耦合。

3.一种三维计算（3D-COM）芯片(200)，其特征在于含有：

一含有多个晶体管的半导体衬底(0)；

多个形成在在该半导体衬底(0)上的储算单元(100aa-100mn)，每个储算单元(100ij)含有至少一三维存储 (3D-M)阵列(170)和一微计算核(180)，其中：

所述3D-M阵列(170)堆叠在该微计算核(180)上方，该3D-M阵列(170)存储至少一计算参数；

所述微计算核(180)位于该衬底(0)中，该微计算核(180)含有一乘法电路并利用该计算参数进行计算；

所述3D-M阵列(170)和所述微计算核(180)通过多个接触通道孔(1av, 3av)电耦合。

4.一种三维计算（3D-COM）芯片(200)，其特征在于含有：

一含有多个晶体管的半导体衬底(0)；

多个形成在在该半导体衬底(0)上的储算单元(100aa-100mn)，每个储算单元(100ij)含有至少一三维存储 (3D-M)阵列(170)和一微计算核(180)，其中：

所述3D-M阵列(170)堆叠在该微计算核(180)上方，该3D-M阵列(170)存储至少一计算参数；

所述微计算核(180)位于该衬底(0)中，该微计算核(180)含有一比较电路并利用该计算参数进行计算；

所述3D-M阵列(170)和所述微计算核(180)通过多个接触通道孔(1av, 3av)电耦合。

5.根据权利要求1-4所述的集成三维计算芯片(200)，其特征还在于：该计算参数为病毒特征。

6.根据权利要求1-4所述的集成三维计算芯片(200)，其特征还在于：该计算参数为关键词。

7.根据权利要求1-4所述的集成三维计算芯片(200)，其特征还在于：该计算参数为网路规范。

8.根据权利要求1-4所述的集成三维计算芯片(200)，其特征还在于：该计算参数为神经元参数。

9.根据权利要求1-4所述的集成三维计算芯片(200)，其特征还在于：该计算参数为查找表。

10.根据权利要求1-4所述的集成三维计算芯片(200)，其特征还在于含有：至少一千个储算单元。