[发明专利]一种半导体光放大器及成像设备有效
| 申请号： | 201710864063.5 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN107680978B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 胡菁;夏若彬;张杰 | 申请（专利权）人： | 浙江大华技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体光放大器及成像设备，所述光放大器包括衬底，还包括：红色增益层、绿色增益层、蓝色增益层和与衬底及每个增益层对应的每个电极层；所述红色增益层、绿色增益层和蓝色增益层生长在所述衬底上；对应的所述每个电极层分别设置在所述衬底、红色增益层、绿色增益层和蓝色增益层上，且每个增益层的两侧为电极层。在本发明实施例中，对光信号中的红光、绿光和蓝光分别进行了光放大，并实现了彩色成像。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 放大器 成像 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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