[发明专利]一种太阳能硅片料的清洗方法在审
| 申请号： | 201710857215.9 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107611016A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 徐涛;邱建峰;王义斌;周慧敏;徐志群 | 申请（专利权）人： | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种太阳能硅片料的清洗方法，包括以下步骤将太阳能硅片料依次进行混酸清洗、去氧化处理和超声，得到清洗后的太阳能硅片料；所述混酸为氢氟酸和硝酸；所述氢氟酸和硝酸的体积比为1(14～18)。本发明将氢氟酸和硝酸按照特定配比制成混酸，能有效去除硅料表面的金属、杂质和油污等，同时结合去氧化处理和超声，进一步去除硅片表面杂质和金属元素，采用本发明中的方法清洗硅片，硅料损耗只有人工碱煮损耗的50％，同时表面金属杂质含量低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能 硅片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能硅片料的清洗方法，包括以下步骤：将太阳能硅片料依次进行混酸清洗、去氧化处理和超声，得到清洗后的太阳能硅片料；所述混酸为氢氟酸和硝酸；所述氢氟酸和硝酸的体积比为1:(14～18)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
