[发明专利]一种太阳能硅片料的清洗方法

说明书

技术领域

本发明属于硅片制造技术领域，尤其涉及一种太阳能硅片料的清洗方法。

背景技术

在太阳能级硅片制造中，通常采用原生多晶硅作为原料，而硅料作为不可再生资源，存储有限，所以提高原料利用率是各大晶体制造商降低成本的头号选择。目前主要是通过对拉制或铸锭端产生的循环料、切片端、电池端产生的碎片料进行循环使用。大大减低制造成本。

而碎硅片表面在使用、运输过程中，存在过程污染，影响硅片的质量，因此，对于硅片原材料，需做表面清洗工艺，去除硅片表面的杂质、金属、油污等等。传统的硅片处理工艺一般采用碱煮的方式，通过NaOH和硅料反应，剥离硅料表面的杂质，脏污等等。第一、由于碱煮产生大量的氢气，自动化过程中易出现花篮上浮，清洗结果达不到正常使用要求；第二、碱煮的方式是对硅料表面的剥离，对硅片表面金属并不反应。导致人工碱煮的自动化程度不高，并且清洗后硅片表面金属含量较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种太阳能硅片料的清洗方法，本发明中的清洗方法自动化程度高，清洗后硅片料表面金属含量低。

本发明提供一种太阳能硅片料的清洗方法，包括以下步骤：

将太阳能硅片料依次进行混酸清洗、去氧化处理和超声，得到清洗后的太阳能硅片料；

所述混酸为氢氟酸和硝酸；所述氢氟酸和硝酸的体积比为1:(14～18)。

优选的，所述混酸清洗的温度为40～60℃；

所述混酸清洗的时间为90～180s。

优选的，所述混酸与太阳能硅片料的质量比为(0.1～1)：1。

优选的，采用氢氟酸溶液进行所述去氧化处理。

优选的，所述氢氟酸溶液的浓度为(5～15)L氢氟酸/400L纯水；

所述去氧化的时间为40～60s。

优选的，所述超声的温度为45～60℃；

所述超声的时间为600～720s。

优选的，所述超声步骤后还包括风切步骤：

将超声后的硅料进行风切，得到清洗后的太阳能硅片；

所述风切的频率为20～50Hz；所述风切的时间为90～120s。

优选的，所述清洗方法具体包括以下步骤：

将太阳能硅片料依次进行混酸清洗、纯水冲洗、去氧化处理、纯水喷淋和超声，得到清洗后的太阳能硅片料。

本发明提供了一种太阳能硅片料的清洗方法，包括以下步骤：将太阳能硅片料依次进行混酸清洗、去氧化处理和超声，得到清洗后的太阳能硅片料；所述混酸为氢氟酸和硝酸；所述氢氟酸和硝酸的体积比为1:(14～18)。本发明将氢氟酸和硝酸按照特定配比制成混酸，能有效去除硅料表面的金属、杂质和油污等，同时结合去氧化处理和超声，进一步去除硅片表面杂质和金属元素，采用本发明中的方法清洗硅片，硅料损耗只有人工碱煮损耗的50％，同时表面金属杂质含量低。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明太阳能硅片料的清洗流程图。

具体实施方式

本发明提供了一种太阳能硅片料的清洗方法，包括以下步骤：

将太阳能硅片料依次进行混酸清洗、去氧化处理和超声，得到清洗后的太阳能硅片料；

所述混酸为氢氟酸和硝酸；所述氢氟酸和硝酸的体积比为1:(14～18)。

本发明中清洗方法的流程参见图1，图1为本发明太阳能硅片料的清洗流程图。下面结合图1，对本发明中的清洗方法进行具体阐述。

本发明优选将待清洗的太阳能硅片料依次进行混酸清洗、纯水清洗、去氧化处理、纯水喷淋、纯水超声和风切除水，得到清洗后的太阳能硅片料。