[发明专利]传感器的制造方法及由此方法制造的传感器有效
| 申请号： | 201710855552.4 | 申请日： | 2017-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN107827078B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 赖建文 | 申请（专利权）人： | 上海申矽凌微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00;G01N27/04 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 201108 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种传感器的制造方法，包括器件形成步骤；所述器件形成步骤包括气敏器件形成步骤；所述气敏器件形成步骤包括加热电阻形成步骤、气敏电阻形成步骤以及第一空腔形成步骤；所述气敏电阻形成步骤包括气敏电阻电极形成步骤、气敏层形成步骤。本发明还提供了一种传感器。本发明提供的传感器的制造方法所制成的气体传感器具有1)使用氧化硅作为牺牲层，可以在硅表面很浅的范围内形成空腔，使得在空腔上面的微型加热电阻得到很好的热绝缘；2)使用CMP(Chemical Mechanical polishing，化学机械抛光)工艺把牺牲层与硅表面磨平，使得加热电阻结构平整化，把由加热造成的热应力减低，结构更加可靠等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 制造 方法 由此 | ||
【主权项】：
一种传感器的制造方法，其特征在于，包括器件形成步骤；所述器件形成步骤包括气敏器件形成步骤；所述气敏器件形成步骤包括加热电阻形成步骤、气敏电阻形成步骤以及第一空腔形成步骤；所述气敏电阻形成步骤包括气敏电阻电极形成步骤、气敏层形成步骤。
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