[发明专利]传感器的制造方法及由此方法制造的传感器

权利要求书

1.一种传感器的制造方法，其特征在于，包括器件形成步骤；

所述器件形成步骤包括气敏器件形成步骤；

所述气敏器件形成步骤包括加热电阻形成步骤、气敏电阻形成步骤以及第一空腔形成步骤；

所述气敏电阻形成步骤包括气敏电阻电极形成步骤、气敏层形成步骤；

所述气敏电阻形成步骤还包括第二空腔形成步骤；

在第一空腔形成步骤中：

在第四介质层(12)上形成第一空腔(7)；

在第二空腔形成步骤中：

在第一空腔(7)内上形成第二空腔(9)，并形成设定图形；

将第二空腔(9)的设定图形下方的第一介质层(2)、第二介质层(3)以及第三介质层(5)这三者去除；

通过第二空腔(9)的设定图形，将位于第一空腔(7)内并位于第一金属层(4)和第二金属层(6)下方的第一介质层(2)去除，能够使第一空腔(7)连通；

所述第二空腔在第一空腔内，紧靠第一空腔。

2.根据权利要求1所述的传感器的制造方法，其特征在于，还包括积层步骤、层平整化步骤；所述层平整化步骤使用CMP工艺。

3.根据权利要求2所述的传感器的制造方法，其特征在于，在积层步骤中：

在衬底(1)上淀积第四介质层(12)；

在层平整化步骤中：

将第一介质层(2)和第四介质层(12)磨平。

4.根据权利要求1所述的传感器的制造方法，其特征在于，在加热电阻形成步骤中：

在第一介质层(2)和第四介质层(12)这两者上均淀积第二介质层(3)；

在第二介质层(3)上淀积第一金属层(4)，并形成设定图形。

5.根据权利要求1所述的传感器的制造方法，其特征在于，在气敏电阻电极形成步骤中：

在第一金属层(4)上淀积第三介质层(5)；

在第三介质层(5)上淀积第二金属层(6)，并形成设定图形；

所述传感器的制造方法，还包括第一介质层(2)形成步骤；

在第四介质层(12)和第一空腔(7)上形成第一介质层(2)。

6.根据权利要求1所述的传感器的制造方法，其特征在于，在气敏层形成步骤中：

光刻胶(13)以及第二金属层(6)上均形成气敏层(8)；

通过去除光刻胶(13)能够将气敏层(8)仅覆盖在第二金属层(6)。

7.根据权利要求1或6所述的传感器的制造方法，其特征在于，所述气敏层形成步骤包括器件固化步骤；

在器件固化步骤中：

所述气敏电阻形成步骤中的气敏电阻通过设定温度和设定时间，使气敏电阻固化；

所述第一介质层(2)的厚度大于第一空腔(7)的厚度；

所述第一空腔(7)为微型结构。

8.一种传感器，其特征在于，所述传感器是利用权利要求1至7中任一项所述的传感器的制造方法制成的传感器。