[发明专利]一种用光中子源生产放射性同位素的装置及方法在审

专利信息
申请号: 201710851226.6 申请日: 2017-09-20
公开(公告)号: CN107622807A 公开(公告)日: 2018-01-23
发明(设计)人: 李中成;刘月恒;刘滨 申请(专利权)人: 西安海达威科技有限责任公司
主分类号: G21G4/02 分类号: G21G4/02
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司61200 代理人: 李宏德
地址: 710016 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供一种用光中子源生产放射性同位素的装置及方法,使用安全可靠,运行稳定,成本低廉。本发明通过高能的强流电子辐照加速器产生满足要求的强流电子束,通过对重金属靶的辐照产生韧致辐射,再对重水进行辐照,从而在重水中产生满足光中子通量的光中子源,在光中子源内部或是外部辐照同位素靶来生产放射性同位素。本发明的装置包括强流电子辐照加速器、重金属靶和屏蔽体,以及设置在屏蔽体内的光中子源本体;通过强流电子辐照加速器的控制能够使得光中子的产生和停止。
搜索关键词: 一种 用光 中子源 生产 放射性同位素 装置 方法
【主权项】:
一种用光中子源生产放射性同位素的方法,其特征在于,包括如下步骤,步骤1,采用强流电子辐照加速器产生强流电子束,强流电子束的能量大于等于2.5MeV,强流电子辐照加速器的运行稳定时间大于12小时;步骤2,用得到的强流电子束辐照重金属靶产生韧致辐射,得到的韧致辐射;步骤3,用韧致辐射辐照重水,使重水中的氘原子产生光致蜕变,即发生(γ,n)核反应产生光中子,得到一个最高的光中子通量大于等于1×1013n/(㎝2·s)的光中子源;步骤4,根据光中子源中的中子通量的分布,将同位素靶件放置在光中子源的辐照位置,经设定的辐照时间后结束辐照,取出被辐照的同位素靶件进行处理后得到所需要的放射性同位素。
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