[发明专利]一种用光中子源生产放射性同位素的装置及方法

权利要求书

1.一种用光中子源生产放射性同位素的方法，其特征在于，包括如下步骤，

步骤1，采用强流电子辐照加速器产生强流电子束，强流电子束的能量大于等于2.5MeV，强流电子辐照加速器的运行稳定时间大于12小时；

步骤2，用得到的强流电子束辐照重金属靶产生韧致辐射，得到的韧致辐射；

步骤3，用韧致辐射辐照重水，使重水中的氘原子产生光致蜕变，即发生(γ,n)核反应产生光中子，得到一个最高的光中子通量大于等于1×10¹³n/(㎝²·s)的光中子源；

步骤4，根据光中子源中的中子通量的分布，将同位素靶件放置在光中子源的辐照位置，经设定的辐照时间后结束辐照，取出被辐照的同位素靶件进行处理后得到所需要的放射性同位素。

2.根据权利要求1所述的一种用光中子源生产放射性同位素的方法，其特征在于，步骤2中，所述的重金属靶采用原子序数大于等于钽的所有金属及合金中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种用光中子源生产放射性同位素的方法，其特征在于，步骤3中，得到的光中子源包括屏蔽体和容纳重水的光中子源本体，屏蔽体和光中子源本体间设置有间隙。

4.根据权利要求3所述的一种用光中子源生产放射性同位素的方法，其特征在于，步骤4中，所述的辐照位置为光中子源本体内或光中子源本体和屏蔽体之间。

5.根据权利要求1所述的一种用光中子源生产放射性同位素的方法，其特征在于，步骤4中，取出被辐照的同位素靶件进行冷却或放射化学分离处理后得到所需要的放射性同位素。

6.根据权利要求1所述的一种用光中子源生产放射性同位素的方法，其特征在于，步骤4中，通过停止强流电子辐照加速器关闭光中子源结束辐照。

7.一种用光中子源生产放射性同位素的装置，其特征在于，包括强流电子辐照加速器、重金属靶和屏蔽体，以及设置在屏蔽体内的光中子源本体；

所述的强流电子辐照加速器用于产生强流电子束辐照重金属靶；强流电子束的能量大于等于2.5MeV，强流电子辐照加速器的运行稳定时间大于12小时；

所述的重金属靶设置在光中子源本体外，用于将强流电子束辐照重金属靶产生的韧致辐射辐照到光中子源本体内填充的重水，重水中的氘原子产生光致蜕变产生光中子；光中子源本体的最高光中子通量大于等于1×10¹³n/(㎝²·s)；

所述的光中子源本体能够被光中子穿过，且穿过的光中子能够被屏蔽体屏蔽。

8.根据权利要求7所述的一种用光中子源生产放射性同位素的装置，其特征在于，所述的重金属靶固定设置在光中子源本体一端，强流电子束垂直于光中子源本体一端辐照重金属靶。

9.根据权利要求7所述的一种用光中子源生产放射性同位素的装置，其特征在于，所述的重金属靶固定设置在光中子源本体一端中部，强流电子束沿光中子源本体中轴线垂直辐照重金属靶。

10.根据权利要求7所述的一种用光中子源生产放射性同位素的装置，其特征在于，屏蔽体和光中子源本体之间设置有间隙，间隙内分布有穿过光中子源本体的光中子。