[发明专利]一种芯片烧结品、子单元、IGBT封装模块及制备方法有效
| 申请号： | 201710846539.2 | 申请日： | 2017-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN107845617B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 田丽纷;李现兵;张朋;武伟;林仲康;石浩;张喆;唐新灵;王亮 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L25/16;H01L21/603 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李敏 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种芯片烧结品、子单元、IGBT封装模块及制备方法。该芯片烧结品包括第一钼片和第二钼片以及设置于两者间的芯片，第一钼片和第二钼片中至少一个为预制钼片，预制钼片为表面设置预制纳米银膜的钼片，且芯片中至少一面与预制纳米银膜相接触，通过采用预制纳米银膜能有效提高后续加压烧结过程中纳米银颗粒的分布均匀性，避免“咖啡环效应”，降低了热阻。同时保证由其烧结得到的烧结层中分布均匀的纳米级孔洞，通过这些纳米级孔洞能有效降低芯片和钼片间产生的应力，提高芯片烧结品的剪切强度。采用该芯片烧结品的单元和IGBT封装模块具有低的热阻、高的剪切强度，由预制纳米银膜烧结得到的烧结层致密性高，且分布纳米级孔洞。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 烧结 单元 igbt 封装 模块 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全球能源互联网研究院有限公司;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司，未经全球能源互联网研究院有限公司;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710846539.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
