[发明专利]一种芯片烧结品、子单元、IGBT封装模块及制备方法

权利要求书

1.一种芯片烧结品，包括第一钼片和第二钼片以及设置于两者间的芯片，其特征在于，

所述第一钼片和所述第二钼片中至少一个为预制钼片，所述预制钼片为表面设置预制纳米银膜的钼片，且所述芯片中至少一面与所述预制纳米银膜相接触；预制纳米银膜是直接制得的纳米银膜，不同于采用纳米焊膏经烧结得到的纳米银膜，所述预制钼片是将预制纳米银膜压制于钼片上而得到的。

2.根据权利要求1所述的芯片烧结品，其特征在于，所述预制钼片为双面设置有预制纳米银膜的钼片。

3.根据权利要求1或2所述的芯片烧结品，其特征在于，所述第一钼片和所述第二钼片均为预制钼片。

4.根据权利要求1或2所述的芯片烧结品，其特征在于，所述预制纳米银膜的厚度为30~100 μm；

所述预制纳米银膜中纳米银的质量分数为70-80%；

所述预制纳米银膜中纳米银的平均直径为10-15nm。

5.根据权利要求4所述的芯片烧结品，其特征在于，所述预制纳米银膜的厚度为30~40μm；

所述预制纳米银膜中纳米银的质量分数为70-75%；

所述预制纳米银膜中纳米银的平均直径为13-15nm。

6.一种芯片子单元，其特征在于，包括权利要求1-5中任一项所述的芯片烧结品。

7.根据权利要求6所述的芯片子单元，其特征在于，还包括，

金属支撑片，与所述第二钼片相接触，用于支撑所述芯片烧结品；

子单元框架，其一端开口，其内设置适于支撑所述金属支撑片的支撑单元；

连接单元，一端与所述芯片上的栅极接触，以保证其与所述栅极的电连通。

8.一种IGBT封装模块，其特征在于，包括权利要求7所述的芯片子单元。

9.根据权利要求8所述的IGBT封装模块，其特征在于，还包括，

管壳，具有上端开口的容置内腔，用于放置所述芯片子单元；

发射极，设置于所述管壳底部的内腔中，所述连接单元的另一端与所述发射极接触，以实现所述栅极与所述发射极的电连通；

若干第一凸台和若干第二凸台，均设置于所述发射极上，所述第一凸台适于插接安装所述芯片子单元，所述第二凸台适于插接安装FRD；

集电极，盖合于所述管壳上端开口上，且与上钼片接触。

10.根据权利要求9所述的IGBT封装模块，其特征在于，所述第一凸台成阵列排布于所述发射极中间位置，形成第一凸台组；

所述第二凸台靠近所述发射极边缘设置，且环绕所述第一凸台组形成第二凸台组。

11.一种权利要求1-5中任一项所述芯片烧结品的制备方法，包括如下步骤：

1）将所述预制纳米银膜放置于钼片上，进行一次加压烧结，制得预制钼片；

2）将所述芯片放置于两个所述预制钼片间，或，

将所述芯片放置于钼片和所述预制钼片间，进行二次加压烧结，制得芯片烧结品。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，步骤1）中，所述一次加压烧结的温度为100-150℃，加压压力为1-5MPa。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述一次加压烧结为从室温以3-8℃/min的升温速率升至100-150℃，并保温5-10min。

14.根据权利要求11-13中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤2）中，所述二次加压烧结的温度为210-300℃，加压压力为10-40MPa。

15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述二次加压烧结为从室温以3-8℃/min的升温速率升至210-300℃，并保温15-60min。