[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201710839551.0 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107871749B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 金重浩;金斐悟;安宰永;刘东哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法包括在衬底上形成交替地和重复地一个堆叠在另一个之上的绝缘层和牺牲层、形成穿透绝缘层和牺牲层的垂直孔、以及在垂直孔中形成垂直沟道结构。形成垂直沟道结构包括形成阻挡绝缘层、电荷存储层、隧道绝缘层和半导体图案。形成阻挡绝缘层包括形成第一氧化目标层、氧化第一氧化目标层以形成第一子阻挡层、以及形成第二子阻挡层。第一子阻挡层形成在第二子阻挡层与垂直孔的内侧壁之间。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成交替地和重复地一个堆叠在另一个之上的绝缘层和牺牲层；形成穿透所述绝缘层和所述牺牲层的垂直孔；以及在所述垂直孔中形成垂直沟道结构，形成所述垂直沟道结构包括形成阻挡绝缘层、电荷存储层、隧道绝缘层和半导体图案，形成所述阻挡绝缘层包括形成第一氧化目标层、氧化所述第一氧化目标层以形成第一子阻挡层、以及形成第二子阻挡层使得所述第一子阻挡层在所述第二子阻挡层与所述垂直孔的内侧壁之间。
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