[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成交替地和重复地一个堆叠在另一个之上的绝缘层和牺牲层；

形成穿透所述绝缘层和所述牺牲层的垂直孔；以及

在所述垂直孔中形成垂直沟道结构，

形成所述垂直沟道结构包括形成阻挡绝缘层、电荷存储层、隧道绝缘层和半导体图案，

形成所述阻挡绝缘层包括形成第一氧化目标层、氧化所述第一氧化目标层以形成第一子阻挡层、以及形成第二子阻挡层使得所述第一子阻挡层在所述第二子阻挡层与所述垂直孔的内侧壁之间，

其中形成所述第二子阻挡层包括：

形成第二氧化目标层；以及

氧化所述第二氧化目标层，

所述第一氧化目标层的剩余部分在氧化所述第一氧化目标层之后留下，以及

氧化所述第二氧化目标层包括在氧化所述第二氧化目标层期间氧化所述第一氧化目标层的所述剩余部分。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中形成所述第一氧化目标层包括将所述第一氧化目标层形成为包括硅或硅氮化物。

3.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，其中形成所述第一子阻挡层包括基于氧化所述第一氧化目标层中包括的硅或硅氮化物而将所述第一子阻挡层形成为包括硅氧化物。

4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中形成所述第二氧化目标层包括将所述第二氧化目标层形成为包括硅或硅氮化物。

5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述第一子阻挡层的微结构比所述第二子阻挡层的微结构更精细。

6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括：

去除所述牺牲层以形成间隙区域，其中

所述间隙区域暴露所述第一子阻挡层。

7.根据权利要求6所述的制造半导体器件的方法，其中所述间隙区域不暴露所述第二子阻挡层。

8.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中形成所述第一子阻挡层包括将所述第一子阻挡层形成为沿着垂直于所述衬底的顶表面的方向延伸。

9.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成交替地和重复地一个堆叠在另一个之上的绝缘层和牺牲层；

形成穿透所述绝缘层和所述牺牲层的垂直孔；以及

在所述垂直孔中形成垂直沟道结构，

形成所述垂直沟道结构包括在所述垂直孔的内侧壁上形成第一子阻挡层、以及在所述第一子阻挡层的内侧壁上形成第二子阻挡层，

形成所述第一子阻挡层包括在所述垂直孔的所述内侧壁上形成硅氮化物层、以及氧化所述硅氮化物层，

其中形成所述第二子阻挡层包括：

形成氧化目标层；以及

氧化所述氧化目标层，

所述硅氮化物层的剩余部分在氧化所述硅氮化物层之后留下，以及

氧化所述氧化目标层包括在氧化所述氧化目标层期间氧化所述硅氮化物层的所述剩余部分。

10.根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中形成所述第一子阻挡层包括将所述硅氮化物层形成为接触所述垂直孔的所述内侧壁。

11.根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中形成所述第一子阻挡层包括将所述第一子阻挡层形成为包括大于0.0at％且小于等于0.1at％的氮。

12.根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，还包括：

去除所述牺牲层以形成暴露所述第一子阻挡层的间隙区域，其中

所述间隙区域不暴露所述第二子阻挡层。