[发明专利]一种读出电路的平坦化方法

摘要

本发明涉及红外焦平面探测器的制作技术，具体是一种读出电路的平坦化方法。本发明解决了读出电路的表面结构凹凸不平导致旋涂层不均匀的问题。一种读出电路的平坦化方法，该方法是采用如下步骤实现的：a.选取读出电路；b.在读出电路的上表面沉积氮化硅层；c.在氮化硅层的上表面旋涂正光刻胶层；d.在正光刻胶层的上表面进行干法刻蚀；e.在负光刻胶层上制作光刻图形；f.沿光刻图形在氮化硅层的上表面进行干法刻蚀，由此使得各个像素电极暴露出来；g.在负光刻胶层的上表面和各个像素电极的上表面蒸镀金属层；h.将蒸镀于负光刻胶层上的金属层和负光刻胶层进行剥离。本发明适用于红外焦平面探测器的制作。

主权项

1.一种读出电路的平坦化方法，其特征在于：该方法是采用如下步骤实现的：a.选取读出电路（1），并将读出电路（1）进行清洗后吹干；读出电路（1）的上表面刻蚀有多个第I凹槽，且每个第I凹槽的槽底均蒸镀有一个像素电极；b.在读出电路（1）的上表面沉积氮化硅层（2），并保证氮化硅层（2）将各个第I凹槽全部覆盖；沉积后的氮化硅层（2）上表面形成有多个第II凹槽，且各个第II凹槽与各个第I凹槽一一对应；c.在氮化硅层（2）的上表面旋涂正光刻胶层（3），并保证正光刻胶层（3）将各个第II凹槽全部覆盖；然后，将正光刻胶层（3）进行烘干；d.在正光刻胶层（3）的上表面进行干法刻蚀，当刻蚀至各个第II凹槽的槽底时停止刻蚀，由此使得氮化硅层（2）的上表面成为平面；然后，将氮化硅层（2）的上表面进行清洗后吹干；e.在氮化硅层（2）的上表面旋涂负光刻胶层（4），并将负光刻胶层（4）进行烘干；然后，在负光刻胶层（4）上制作光刻图形；f.沿光刻图形在氮化硅层（2）的上表面进行干法刻蚀，由此使得各个像素电极暴露出来；g.在负光刻胶层（4）的上表面和各个像素电极的上表面蒸镀金属层（5），并保证蒸镀于各个像素电极上的金属层（5）的上表面与氮化硅层（2）的上表面齐平；h.将蒸镀于负光刻胶层（4）上的金属层（5）和负光刻胶层（4）进行剥离，由此完成平坦化。