[发明专利]一种读出电路的平坦化方法

说明书

本发明涉及红外焦平面探测器的制作技术，具体是一种读出电路的平坦化方法。本发明解决了读出电路的表面结构凹凸不平导致旋涂层不均匀的问题。一种读出电路的平坦化方法，该方法是采用如下步骤实现的：a.选取读出电路；b.在读出电路的上表面沉积氮化硅层；c.在氮化硅层的上表面旋涂正光刻胶层；d.在正光刻胶层的上表面进行干法刻蚀；e.在负光刻胶层上制作光刻图形；f.沿光刻图形在氮化硅层的上表面进行干法刻蚀，由此使得各个像素电极暴露出来；g.在负光刻胶层的上表面和各个像素电极的上表面蒸镀金属层；h.将蒸镀于负光刻胶层上的金属层和负光刻胶层进行剥离。本发明适用于红外焦平面探测器的制作。

技术领域

本发明涉及红外焦平面探测器的制作技术，具体是一种读出电路的平坦化方法。

背景技术

制作红外焦平面探测器时，需要在其读出电路上进行胶体的旋涂，且得到的胶体旋涂层很薄（只有几十纳米），这便要求读出电路的表面结构是平坦光滑的。然而，由于多层布线和像素电极的设计，读出电路的表面结构是凹凸不平的，这种凹凸不平的表面结构会导致旋涂层不均匀，由此影响红外焦平面探测器的光电特性，甚至导致红外焦平面探测器发生短路现象。基于此，有必要发明一种能够将读出电路的表面结构进行平坦化的方法，以解决读出电路的表面结构凹凸不平导致旋涂层不均匀的问题。

发明内容

本发明为了解决读出电路的表面结构凹凸不平导致旋涂层不均匀的问题，提供了一种读出电路的平坦化方法。

本发明是采用如下技术方案实现：

一种读出电路的平坦化方法，该方法是采用如下步骤实现的：

a.选取读出电路，并将读出电路进行清洗后吹干；读出电路的上表面刻蚀有多个第I凹槽，且每个第I凹槽的槽底均蒸镀有一个像素电极；

b.在读出电路的上表面沉积氮化硅层，并保证氮化硅层将各个第I凹槽全部覆盖；沉积后的氮化硅层上表面形成有多个第II凹槽，且各个第II凹槽与各个第I凹槽一一对应；

c.在氮化硅层的上表面旋涂正光刻胶层，并保证正光刻胶层将各个第II凹槽全部覆盖；然后，将正光刻胶层进行烘干；

d.在正光刻胶层的上表面进行干法刻蚀，当刻蚀至各个第II凹槽的槽底时停止刻蚀，由此使得氮化硅层的上表面成为平面；然后，将氮化硅层的上表面进行清洗后吹干；

e.在氮化硅层的上表面旋涂负光刻胶层，并将负光刻胶层进行烘干；然后，在负光刻胶层上制作光刻图形；

f.沿光刻图形在氮化硅层的上表面进行干法刻蚀，由此使得各个像素电极暴露出来；

g.在负光刻胶层的上表面和各个像素电极的上表面蒸镀金属层，并保证蒸镀于各个像素电极上的金属层的上表面与氮化硅层的上表面齐平；

h.将蒸镀于负光刻胶层上的金属层和负光刻胶层进行剥离，由此完成平坦化。

本发明所述的一种读出电路的平坦化方法基于全新的工艺原理，实现了将读出电路的表面结构进行平坦化，由此使得旋涂层变得均匀，从而有效保证了红外焦平面探测器的光电特性，有效避免了红外焦平面探测器发生短路现象。

本发明有效解决了读出电路的表面结构凹凸不平导致旋涂层不均匀的问题，适用于红外焦平面探测器的制作。

附图说明

图1是本发明中步骤a的示意图。

图2是本发明中步骤b的示意图。

图3是本发明中步骤c的示意图。

图4是本发明中步骤d的示意图。

图5是本发明中步骤e的示意图。

图6是本发明中步骤f的示意图。