[发明专利]阻变存储器的操作方法及其操作装置、芯片以及芯片认证方法有效
| 申请号： | 201710828249.5 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN109509495B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 吴华强;庞亚川;高滨;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种阻变存储器的操作方法及其操作装置、芯片以及芯片认证方法。该操作方法包括：对阻变存储器阵列中的多个存储单元施加复位电压，以使所述阻变存储器阵列处于第一状态以形成物理不可克隆函数；以及对处于所述第一状态的阻变存储器阵列中的多个存储单元施加置位电压，以使所述阻变存储器阵列处于第二状态。在所述第二状态时，所述阻变存储器阵列中有百分之九十以上的存储单元处于低阻态。该操作方法可以对存储在物理不可克隆函数中的数据进行隐藏，从而可以实现对物理不可克隆函数中信息的有效保护。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 操作方法 及其 操作 装置 芯片 以及 认证 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阻变存储器的操作方法，包括：对阻变存储器阵列中的多个存储单元施加复位电压，以使所述阻变存储器阵列处于第一状态以形成物理不可克隆函数(PUF)；以及对处于所述第一状态的阻变存储器阵列中的多个存储单元施加置位电压，以使所述阻变存储器阵列处于第二状态；其中，在所述第二状态时，所述阻变存储器阵列中有百分之九十以上的存储单元处于低阻态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710828249.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
