[发明专利]阻变存储器的操作方法及其操作装置、芯片以及芯片认证方法

说明书

一种阻变存储器的操作方法及其操作装置、芯片以及芯片认证方法。该操作方法包括：对阻变存储器阵列中的多个存储单元施加复位电压，以使所述阻变存储器阵列处于第一状态以形成物理不可克隆函数；以及对处于所述第一状态的阻变存储器阵列中的多个存储单元施加置位电压，以使所述阻变存储器阵列处于第二状态。在所述第二状态时，所述阻变存储器阵列中有百分之九十以上的存储单元处于低阻态。该操作方法可以对存储在物理不可克隆函数中的数据进行隐藏，从而可以实现对物理不可克隆函数中信息的有效保护。

技术领域

本公开的实施例涉及一种阻变存储器的操作方法及其操作装置、芯片以及芯片认证方法。

背景技术

随着信息技术的高速发展，硬件安全面临着多方面的威胁(例如硬件特洛伊、知识产权剽窃、集成电路逆向工程、侧信道攻击等)。在众多的解决方案中，物理不可克隆函数(Physically Unclonable Function，PUF)因其固有的随机性、可再现性以及与微纳加工工艺的兼容性被认为是硬件安全防护的可行技术方案。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种阻变存储器的操作方法，包括：对阻变存储器阵列中的多个存储单元施加复位电压，以使所述阻变存储器阵列处于第一状态以形成物理不可克隆函数(PUF)；以及对处于所述第一状态的阻变存储器阵列中的多个存储单元施加置位电压，以使所述阻变存储器阵列处于第二状态；在所述第二状态时，所述阻变存储器阵列中有百分之九十以上的存储单元处于低阻态。

例如，本公开一实施例提供的阻变存储器的操作方法还包括：对处于所述第二状态的阻变存储器阵列中的存储单元施加所述复位电压，以使所述阻变存储器阵列处于第三状态；处于所述第三状态的阻变存储器阵列的电阻值状态与处于所述第一状态的阻变存储器阵列的电阻值状态，二者的误差值小于一预设误差值。

例如，在本公开一实施例提供的阻变存储器的操作方法中，所述预设误差值包括百分之十。

例如，在本公开一实施例提供的阻变存储器的操作方法中，在所述第二状态时，所述阻变存储器阵列中有百分之九十五以上的存储单元处于低阻态。

例如，在本公开一实施例提供的阻变存储器的操作方法中，在形成所述PUF之前还包括：对所述阻变存储器阵列中的至少部分存储单元进行多次连续的隐藏与再现操作，以确定所述复位电压和所述置位电压。

例如，在本公开一实施例提供的阻变存储器的操作方法中，在形成所述PUF之后还包括提取激励响应对。

例如，在本公开一实施例提供的阻变存储器的操作方法中，所述提取激励响应对包括：将所述阻变存储器阵列划分为第一子阵列和第二子阵列，对比所述第一子阵列和所述第二子阵列中的对应存储单元的电阻值大小，以获得多个激励响应对。

例如，在本公开一实施例提供的阻变存储器的操作方法中，所述提取激励响应对包括：将所述阻变存储器阵列划分为第一子阵列和第二子阵列，随机从所述第一子阵列和所述第二子阵列中各选取一个存储单元并对其电阻值大小进行对比，以获得多个激励响应对。

例如，在本公开一实施例提供的阻变存储器的操作方法中，所述提取激励响应对包括：提供一个参考电阻值，对比所述阻变存储器阵列中的各个存储单元的电阻值与参考电阻值，以获得多个激励响应对。

例如，在本公开一实施例提供的阻变存储器的操作方法中，所述误差值通过汉明距离比较获得。

本公开至少一实施例还提供一种阻变存储器操作装置，包括处理器和存储器，所述存储器存储有可执行指令，所述可执行指令可由所述处理器执行以实现本公开任一实施例所述的阻变存储器的操作方法。