[发明专利]MOCVD设备进气装置和反应腔的结构及该设备的薄膜生长方法

摘要

金属有机化学气相沉积法，是一种广泛用来生长半导体和氧化物外延薄膜的技术，目前这项生长技术已经发展的相当成熟，在工业化生产中得到了广泛的应用，MOCVD方法最大的优点在于它生长速度快，容易实现大规模生产，而且此方法对均匀掺杂控制非常方便，同时生长速率和温度的控制范围都很大，所以可以方便地生长出复杂组分的精细结构，现有技术中的MOCVD设备，通入反应腔中的气体流场分布比较复杂，难以定向控制，影响薄膜生长质量，效率低下，同时消耗了反应物，提高了成本，也降低了薄膜的外延速度，为了解决上述问题本发明提供了一种MOCVD设备进气装置和反应腔的结构，以克服上述缺点。

主权项

1.MOCVD设备进气装置和反应腔的结构，其特征在于：其反应腔上连接有进气装置，所述反应腔包括起始端柱、腔体外壳和反应腔出口，所述进气装置包括MO源入口管、氧源和载气入口管；所述MO源入口管自所述起始端柱的上表面伸入反应腔中，所述氧源和载气入口管上设有多个弯喷淋头，多个所述弯喷淋头向下延伸，并且分别自起始端柱的侧面伸入反应腔中；所述反应腔中，沿所述起始端柱向所述反应腔出口的方向依次设置有混流板、多孔匀流区和旋转基座；所述MO源入口管与反应腔同轴，伸入所述反应腔内部的MO源入口管的表面上，向远离MO源入口管的方向延伸有互相平行且对应的上喷淋组和下喷淋组，多个所述弯喷淋头位于上喷淋组和下喷淋组的上方。