[发明专利]用于减少在抽吸排气系统中流出物积聚的系统和方法有效
| 申请号： | 201710822517.2 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107863307B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 安东尼奥·泽维尔;史蒂文·戈扎;拉梅什·钱德拉赛卡兰;阿德里安·拉瓦伊;约瑟夫·内史密斯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于减少在抽吸排气系统中流出物积聚的系统和方法，一种用于减少衬底处理系统的抽吸排气系统中的流出物积聚的方法包括：在衬底处理工艺期间，将衬底布置在处理室中的衬底支撑件上；将一种或多种处理气体供给至所述处理室；将惰性稀释气体以第一流率供给到所述抽吸排气系统；在所述处理室中对所述衬底进行所述衬底处理工艺；使用所述抽吸排气系统从所述处理室排出反应物。所述方法包括：在所述衬底处理工艺后，在清洁工艺期间在所述处理室中供给包括清洁气体的清洁等离子体；以及在所述清洁工艺期间将所述惰性稀释气体以比所述第一流率小的第二流率供给到所述抽吸排气系统。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 抽吸 排气 系统 流出物 积聚 方法 | ||
【主权项】：
一种用于减少衬底处理系统的抽吸排气系统中的流出物积聚的方法，其包括：在衬底处理工艺期间：将衬底布置在处理室中的衬底支撑件上；将一种或多种处理气体供给至所述处理室；将惰性稀释气体以第一流率供给到所述抽吸排气系统；在所述处理室中对所述衬底进行衬底处理；以及使用抽吸排气系统从所述处理室排出反应物；以及在所述衬底处理工艺后：在清洁工艺期间在所述处理室中供给包括清洁气体的清洁等离子体；以及在所述清洁工艺期间将所述惰性稀释气体以比所述第一流率小的第二流率供给到所述抽吸排气系统。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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