[发明专利]用于减少在抽吸排气系统中流出物积聚的系统和方法

权利要求书

1.一种用于减少衬底处理系统的抽吸排气系统中的流出物积聚的方法，所述方法包括：

在衬底处理工艺期间：

将衬底布置在处理室中的衬底支撑件上；

将处理气体供给至所述处理室，其中所述处理气体包括前体气体和氧化剂气体；

仅将惰性稀释气体供给到所述抽吸排气系统，所述惰性稀释气体以第一流率供给，其中所述第一流率大于足以防止所述抽吸排气系统中的所述前体气体和所述氧化剂气体燃烧的第一预先确定的流率；

在所述处理室中对所述衬底进行所述衬底处理工艺；以及

使用所述抽吸排气系统从所述处理室排出反应物；以及

在所述衬底处理工艺后：

在清洁工艺期间在所述处理室中供给包括清洁气体的清洁等离子体，以用于减少所述衬底处理系统的所述抽吸排气系统中的流出物积聚；以及

在所述清洁工艺期间仅将所述惰性稀释气体供给到所述抽吸排气系统，所述惰性稀释气体以比所述第一流率小的第二流率供给，其中如果在所述衬底处理工艺期间使用所述前体气体和所述氧化剂气体，则所述第二流率是处于不足以防止所述前体气体和所述氧化剂气体燃烧的第二预先确定的流率，

其中所述抽吸排气系统包括阀、泵、包括气体燃烧器和水洗器的减排装置以及排气管线，所述排气管线将所述阀连接到所述处理室、将所述泵连接到所述阀、以及将所述减排装置连接到所述泵；并且

其中所述惰性稀释气体被供给在所述阀和所述泵之间与在所述泵和所述减排装置之间中的至少一者。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底处理工艺包括等离子体增强原子层沉积和等离子体增强化学气相沉积之一。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理气体包括所述前体气体、所述氧化剂气体和载气。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述前体气体包括硅前体气体。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述氧化剂气体选自分子氧和一氧化二氮。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述惰性稀释气体包括分子氮。

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述抽吸排气系统包括具有电阻加热器的泵，所述电阻加热器用于加热流过所述泵的物质和所述惰性稀释气体；以及

所述方法还包括在所述清洁工艺期间不激活所述电阻加热器。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一流率大于或等于所述第二流率的两倍。

9.根据权利要求1所述的方法，其中供给所述清洁等离子体包括：

在所述清洁工艺期间将所述清洁气体供给到所述处理室；以及

激励所述处理室中的所述清洁等离子体。

10.根据权利要求1所述的方法，其中供给所述清洁等离子体包括：

远程产生所述清洁等离子体；以及

将所述清洁等离子体供给到所述处理室。

11.根据权利要求1所述的方法，其还包括在所述清洁工艺期间加热所述排气管线。