[发明专利]使用钨填充衬底的凹部的方法有效
| 申请号： | 201710816549.1 | 申请日： | 2017-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN107818944B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 成嶋健索;山口克昌 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/285;C23C16/08;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种使用钨填充凹部的方法。一实施方式的方法包括在成膜装置的腔室内准备衬底的工序，将第一循环执行一次以上的工序，和在将第一循环执行一次以上的工序之后，将第二循环执行一次以上的工序。第一循环和第二循环各自包括：将含钨的前体气体导入腔室的步骤；对腔室进行吹扫的步骤；将含氢气体导入腔室的步骤；和对腔室进行吹扫的步骤。该方法中，第二循环执行时的腔室的压力被设定为比第一循环执行时的腔室的压力低的压力。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 填充 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种使用钨填充衬底的凹部的方法，其特征在于，包括：在成膜装置的腔室内准备所述衬底的工序；将第一循环执行一次以上的工序，其中，所述第一循环包括：将含钨的前体气体导入所述腔室的步骤；对所述腔室进行吹扫的步骤；将含氢气体导入所述腔室的步骤；和对所述腔室进行吹扫的步骤；和在所述将第一循环执行一次以上的工序之后，将第二循环执行一次以上的工序，其中，所述第二循环包括：将含钨的前体气体导入所述腔室的步骤；对所述腔室进行吹扫的步骤；将含氢气体导入所述腔室的步骤；和对所述腔室进行吹扫的步骤，所述第二循环执行时的所述腔室的压力被设定为比所述第一循环执行时的所述腔室的压力低的压力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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