[发明专利]使用钨填充衬底的凹部的方法有效
申请号: | 201710816549.1 | 申请日: | 2017-09-12 |
公开(公告)号: | CN107818944B | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 成嶋健索;山口克昌 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/285;C23C16/08;C23C16/455 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 填充 衬底 方法 | ||
1.一种使用钨填充衬底的凹部的方法,其特征在于,包括:
在成膜装置的腔室内准备所述衬底的工序;
将第一循环执行一次以上的工序,其中,所述第一循环包括:将含钨的前体气体导入所述腔室的步骤;对所述腔室进行吹扫的步骤;将含氢气体导入所述腔室的步骤;和对所述腔室进行吹扫的步骤;和
在所述将第一循环执行一次以上的工序之后,将第二循环执行一次以上的工序,其中,所述第二循环包括:将含钨的前体气体导入所述腔室的步骤;对所述腔室进行吹扫的步骤;将含氢气体导入所述腔室的步骤;和对所述腔室进行吹扫的步骤,
所述第二循环执行时的所述腔室的压力被设定为比所述第一循环执行时的所述腔室的压力低的压力,
所述成膜装置包括:
提供所述腔室的腔室主体;和
载置台,其设置于所述腔室内,在其之上载置所述衬底,
所述腔室主体包括在所述载置台的上方延伸且与所述载置台的上表面相对的壁面,
所述第二循环执行时的所述载置台与所述壁面之间的距离,被设定为比所述第一循环执行时的所述载置台与所述壁面之间的距离短的距离。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:
所述第二循环执行时的所述衬底的温度被设定为比所述第一循环执行时的所述衬底的温度低的温度。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于:
所述第二循环执行时被导入所述腔室的运载气体的流量,被设定为比所述第一循环执行时被导入所述腔室的运载气体的流量大的流量。
4.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于:
在所述第二循环中对所述腔室进行吹扫时被导入该腔室的不活泼气体的流量,被设定为比在所述第一循环中对所述腔室进行吹扫时被导入该腔室的不活泼气体的流量大的流量。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于:
还包括在所述将第二循环执行一次以上的工序之后,将第三循环执行一次以上的工序,其中,所述第三循环包括:将含钨的前体气体导入所述腔室的步骤;对所述腔室进行吹扫的步骤;将含氢气体导入所述腔室的步骤;和对所述腔室进行吹扫的步骤,
所述第三循环执行时的所述腔室的压力被设定为比所述第二循环执行时的所述腔室的压力高的压力。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于:
所述成膜装置包括:
提供所述腔室的腔室主体;和
载置台,其设置于所述腔室内,在其之上载置所述衬底,
所述腔室主体包括在所述载置台的上方延伸且与所述载置台的上表面相对的壁面,
所述第二循环执行时的所述载置台与所述壁面之间的距离,被设定为比所述第一循环执行时的所述载置台与所述壁面之间的距离以及所述第三循环执行时的所述载置台与所述壁面之间的距离短的距离。
7.如权利要求5或6所述的方法,其特征在于:
所述第二循环执行时的所述衬底的温度被设定为比所述第一循环执行时的所述衬底的温度和所述第三循环执行时的所述衬底的温度低的温度。
8.如权利要求5或6所述的方法,其特征在于:
所述第二循环执行时被导入所述腔室的运载气体的流量,被设定为比所述第一循环执行时被导入所述腔室的运载气体的流量以及所述第三循环执行时被导入所述腔室的运载气体的流量大的流量。
9.如权利要求5或6所述的方法,其特征在于:
在所述第二循环中对所述腔室进行吹扫时被导入该腔室的不活泼气体的流量,被设定为比在所述第一循环中对所述腔室进行吹扫时被导入该腔室的不活泼气体的流量以及在所述第三循环中对所述腔室进行吹扫时被导入该腔室的不活泼气体的流量大的流量。
10.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于:
所述前体气体是含有卤化钨的气体。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于:
所述卤化钨是WCl6、WCl5或WF6。
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