[发明专利]凸块工艺与覆晶结构

摘要

本发明提供一种凸块工艺与覆晶结构。凸块工艺包括下列步骤。在晶圆上形成光致抗蚀剂层。晶圆的每一芯片区具有多个接垫，且包括第一区与第二区。图案化光致抗蚀剂层，以于每一芯片区中形成暴露出多个接垫的多个第一开口，且于至少一芯片区中形成至少一第二开口。第一区具有多个第一开口。经图案化的光致抗蚀剂层在第一区中所占的面积比例小于其在第二区中所占的面积比例。第二开口位于第一区与第二区之间。各第一开口的面积小于第二开口的面积。于多个第一开口中形成多个导电凸块，且于第二开口中形成拟凸块。移除经图案化的光致抗蚀剂层。

主权项

1.一种凸块工艺，包括：在芯片上形成光致抗蚀剂层，所述芯片包括多个芯片区，其中每一芯片区具有多个接垫，且每一芯片区包括彼此相邻的至少一第一区与至少一第二区；图案化所述光致抗蚀剂层，以于每一芯片区中形成暴露出所述多个接垫的多个第一开口，以及于至少一芯片区中形成至少一第二开口，其中每一芯片区的所述至少一第一区中具有沿着一第一方向排列的多个所述第一开口，经图案化的光致抗蚀剂层在所述至少一第一区中所占的面积比例小于所述经图案化的光致抗蚀剂层在相邻的所述至少一第二区中所占的面积比例，所述至少一第二开口位于所述至少一第一区与所述至少一第二区之间，且相邻于所述至少一第一区中沿着所述第一方向排列的多个所述第一开口而延伸，所述至少一第一区中的每一第一开口的面积小于所述至少一第二开口的面积；在所述多个第一开口中形成多个导电凸块，且于所述至少一第二开口中形成至少一拟凸块；以及移除所述经图案化的光致抗蚀剂层。