[发明专利]像素电路的驱动方法、像素电路和显示装置在审
申请号: | 201710811995.3 | 申请日: | 2017-09-11 |
公开(公告)号: | CN107527584A | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 王英涛;刘立伟;严允晟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 汪源,陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种像素电路的驱动方法、像素电路和显示装置。像素电路包括栅线、数据线和公共电极层,栅线和数据线交叉限定像素单元,像素单元包括薄膜晶体管和像素电极,薄膜晶体管包括栅极、有源层和源漏极,源漏极和公共电极层之间设置有半导体层,源漏极和公共电极层形成电容,方法包括栅极上加载栅极电压;源漏极上加载像素电压;公共电极层上加载设定电压,以使电容的电容值在源漏极上加载不同的像素电压时不变。本发明中,公共电极层上加载设定电压,以使电容的电容值在源漏极上加载不同的像素电压时不变,实现了在像素电压的驱动范围内电容的电容值不发生变化,从而避免了显示装置在像素电压的驱动范围内产生残像。 | ||
搜索关键词: | 像素 电路 驱动 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种像素电路的驱动方法,其特征在于,所述像素电路包括栅线、数据线和公共电极层,栅线和数据线交叉限定像素单元,像素单元包括薄膜晶体管和像素电极,所述薄膜晶体管包括栅极、有源层和源漏极,所述源漏极和所述公共电极层之间设置有半导体层,所述源漏极和所述公共电极层形成电容,所述方法包括:所述栅极上加载栅极电压;所述源漏极上加载像素电压;所述公共电极层上加载设定电压,以使所述电容的电容值在所述源漏极上加载不同的像素电压时不变。
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