[发明专利]像素电路的驱动方法、像素电路和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种像素电路的驱动方法、像素电路和显示装置。

背景技术

在垂直配向(Vertically-aligned，简称VA)模式的显示装置中，源漏极和公共电极层之间形成电容，且源漏极和公共电极层之间设置有a-Si层。

图1为现有技术中不同像素电压下电容值的示意图，如图1所示，当在源漏极上加载像素电压，像素电压为负反转像素电压和正反转像素电压时，电容值均发生变化。当像素电压小于负反转像素电压时电容值趋于饱和(saturation)状态，当像素电压大于正反转像素电压时电容值趋于饱和状态，即当像素电压小于负反转像素电压时以及大于正反转像素电压时电容值不再发生变化。图1中的箭头表示电容值趋于饱和状态。

综上，在长期驱动过程中，由于a-Si层变形导致在源漏极上加载不同的像素电压时，在像素电压的驱动范围内电容的电容值发生变化，从而使得显示装置产生残像。

发明内容

本发明提供一种像素电路的驱动方法、像素电路和显示装置，用于避免显示装置在像素电压的驱动范围内产生残像。

为实现上述目的，本发明提供了一种像素电路的驱动方法，所述像素电路包括栅线、数据线和公共电极层，栅线和数据线交叉限定像素单元，像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层和源漏极，所述源漏极和所述公共电极层之间设置有半导体层，所述源漏极和所述公共电极层形成电容，所述方法包括：

所述栅极上加载栅极电压；

所述源漏极上加载像素电压；

所述公共电极层上加载设定电压，以使所述电容的电容值在所述源漏极上加载不同的像素电压时不变。

可选地，所述设定电压小于或等于第一设定值，所述像素电压的范围为第一端点值至第二端点值，所述第一设定值小于或等于第一中间值和所述第一端点值之间的中间值，所述第一中间值为所述第二端点值和所述第一端点值之间的中间值。

可选地，所述第一设定值为所述第一中间值和所述第一端点值之间的中间值与所述像素电压的跳变电压之间的差值。

可选地，所述设定电压大于或等于第二设定值，所述像素电压的范围为第一端点值至第二端点值，所述第二设定值大于或等于所述第二端点值与第二中间值之间的中间值，所述第二中间值为所述第二端点值和所述第一端点值之间的中间值。

可选地，所述第二设定值为所述第二端点值和所述第二中间值之间的中间值与所述像素电压的跳变电压之间的差值。

可选地，所述第一端点值与所述第一中间值之间的像素电压为负反转像素电压，所述第一中间值与所述第二端点值之间的电压为正反转像素电压。

为实现上述目的，本发明提供了一种像素电路，所述像素电路采用上述像素电路的驱动方法驱动。

可选地，所述半导体层和所述有源层同层设置。

可选地，所述公共电极层和所述栅极同层设置。

为实现上述目的，本发明提供了一种显示装置，包括上述像素电路。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的像素电路的驱动方法、像素电路和显示装置的技术方案中，公共电极层上加载设定电压，以使电容的电容值在源漏极上加载不同的像素电压时不变，实现了在像素电压的驱动范围内电容的电容值不发生变化，从而避免了显示装置在像素电压的驱动范围内产生残像。

附图说明

图1为现有技术中不同像素电压下电容值的示意图；

图2为实施例一中电容的结构示意图；

图3为实施例一中不同像素电压下电容值的一种示意图；

图4为图3中电容值与像素电压之间关系的原理示意图；

图5为实施例一中不同像素电压下电容值的另一种示意图；

图6为图5中电容值与像素电压之间关系的原理示意图；

图7为像素电路的等效电路图；

图8为实施例二中公共电极图形的结构示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的像素电路的驱动方法、像素电路和显示装置进行详细描述。