[发明专利]在绝缘衬底上制备大面积双层石墨烯薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种在绝缘衬底上制备大面积双层石墨烯薄膜的方法，包括以下步骤：制备复合衬底：复合衬底包括位于外部的铜管，以及设置在铜管内部的绝缘衬底，绝缘衬底位于铜管的范围内，所述铜管由铜箔卷曲成管状而制成；将复合衬底放入反应器中，并向反应器中通入氩气和氢气的混合气体；对复合衬底进行加热，以使复合衬底中的铜管和绝缘衬底均达到目标温度，然后保持温度恒定30‑120分钟；继续保持温度恒定，将气体碳源通入反应器中，即可在铜催化剂的作用下，在绝缘衬底的表面得到大面积双层石墨烯薄膜。本发明利用常压化学气相沉积法在铜箔的催化作用下实现大面积双层石墨烯薄膜在绝缘衬底上的制备，本方法操作方便，简单易行。

主权项

1.一种在绝缘衬底上制备大面积双层石墨烯薄膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：a)制备复合衬底：复合衬底包括位于外部的铜管，以及设置在铜管内部的绝缘衬底，绝缘衬底位于铜管的范围内，所述铜管由铜箔卷曲成管状而制成，所述铜管起到催化剂的作用；b)将复合衬底放入反应器中，并向反应器中通入氩气和氢气的混合气体，使混合气体充满反应器；c)对复合衬底进行加热，以使复合衬底中的铜管和绝缘衬底均达到目标温度，然后保持温度恒定30‑120分钟，所述目标温度的温度范围为：1000℃～1050℃；d)继续保持温度恒定，将气体碳源通入反应器中，即可在铜催化剂的作用下，在绝缘衬底的表面得到大面积双层石墨烯薄膜。