[发明专利]在绝缘衬底上制备大面积双层石墨烯薄膜的方法

权利要求书

1.一种在绝缘衬底上制备大面积双层石墨烯薄膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：

a)制备复合衬底：复合衬底包括位于外部的铜管，以及设置在铜管内部的绝缘衬底，绝缘衬底位于铜管的范围内，所述铜管由铜箔卷曲成管状而制成，所述铜管起到催化剂的作用；

b)将复合衬底放入反应器中，并向反应器中通入氩气和氢气的混合气体，使混合气体充满反应器；

c)对复合衬底进行加热，以使复合衬底中的铜管和绝缘衬底均达到目标温度，然后保持温度恒定30-120分钟，所述目标温度的温度范围为：1000℃～1050℃；

d)继续保持温度恒定，将气体碳源通入反应器中，即可在铜催化剂的作用下，在绝缘衬底的表面得到大面积双层石墨烯薄膜。

2.根据权利要求1所述的在绝缘衬底上制备大面积双层石墨烯薄膜的方法，其特征在于：步骤d)中所述的气体碳源为甲烷气体和/或乙炔气体。

3.根据权利要求2所述的在绝缘衬底上制备大面积双层石墨烯薄膜的方法，其特征在于：在步骤d)中，对于气体碳源，气体碳源与氢气、氩气体同时通入反应器中。

4.根据权利要求1所述的在绝缘衬底上制备大面积双层石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述复合衬底中的铜管由铜箔卷曲成管状而制成，所述铜箔以直径为1.5～5mm的石英管为模具，沿着石英管的内壁延伸卷曲成管状。

5.根据权利要求1所述的在绝缘衬底上制备大面积双层石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述复合衬底中的铜管由铜箔卷曲成管状而制成，所述反应器为石英管，所述铜箔以反应器的内壁为模具，沿着反应器的内壁延伸卷曲成管状。