[发明专利]可控层数的大面积二维过渡族金属化合物薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201710799122.5 | 申请日： | 2017-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN107665809A | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 周鹏;刘春森;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/24 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司31200 | 代理人： | 陆飞,陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于薄膜制备技术领域，具体为一种可控层数的大面积二维过渡族金属化合物薄膜及其制备方法。本发明的过渡族金属化合物薄膜的基本化合化学式为MX2，其中M为V族元素，X为硫族元素。本发明制备方法，包括先在衬底上淀积一层前驱体，然后化学气相淀积反应形成过渡族金属化合物，其中包括使用物理气相沉积、电子束蒸发淀积一层金属M，或者原子层沉积、分子束外延淀积一层金属M的氧化物或者氮化物等。本发明可以制备大面积并可控层数的二维薄膜，突破了目前二维过渡族金属化合物薄膜无法大面积制备的局面，可望在大规模集成电路中获得应用。 | ||
| 搜索关键词： | 可控 层数 大面积 二维 过渡 金属 化合物 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二维过渡族金属化合物薄膜，其特征在于，基本化合化学式为MX2，其中，M为V族元素，X为硫族元素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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