[发明专利]可控层数的大面积二维过渡族金属化合物薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201710799122.5 | 申请日： | 2017-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN107665809A | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 周鹏;刘春森;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/24 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司31200 | 代理人： | 陆飞,陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可控 层数 大面积 二维 过渡 金属 化合物 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种二维过渡族金属化合物薄膜，其特征在于，基本化合化学式为MX2，其中，M为V族元素，X为硫族元素。
2.根据权利要求1所述的二维过渡族金属化合物薄膜，其特征在于，所述V族元素为Mo或W，所述硫族元素为S、Se或Te。
3.根据权利要求1或2所述的二维过渡族金属化合物薄膜，其特征在于，薄膜面积尺寸达到厘米级。
4.一种如权利要求1所述二维过渡族金属化合物薄膜的制备方法，包括沉积前驱体、化学气相沉积形成过渡族金属化合物薄膜，其特征在于，具体步骤为：
（1）衬底上淀积前驱体，所述前驱体包括：过渡族金属M的薄膜、过渡族金属M的氧化物薄膜或者过渡族金属M的氮化物薄膜中的一种；
（2）形成过渡族金属化合物薄膜，作为组变功能层；制备层数范围为单层至三层；所述形成过渡族金属化合物薄膜，是将衬底上的前驱体薄膜利用CVD进行硫化反应，形成硫化物薄膜。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述过渡族金属薄膜采用物理气相沉积、电子束蒸发或磁控溅射淀积；所述过渡族金属氧化物薄膜和过渡族金属氮化物薄膜采用原子层淀积或者分子束外延方法淀积。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述过渡族金属为钼或钨；所述过渡族金属氧化物为氧化钼或氧化钨，所述过渡族金属氮化物为氮化钼或者氮化钨。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底、蓝宝石衬底、石英衬底或硅衬底。
8.根据权利要求4-7之一所述的制备方法，其特征在于，通过控制前驱体薄膜的厚度进一步控制硫化后过渡族金属化合物薄膜的层数。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
