[发明专利]薄膜晶体管结构及AMOLED驱动电路

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管结构，其包括玻璃基板、缓冲层、金属氧化物半导体层、栅绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层、源极金属层、漏极金属层以及保护层；其中玻璃基板和缓冲层之间还设置有遮光金属层，栅极金属层在玻璃基板所在平面的投影区域对齐遮光金属层在玻璃基板所在平面的投影区域，遮光金属层在玻璃基板所在平面的投影区域覆盖沟道区域的金属氧化物半导体层在玻璃基板所在平面的投影区域。本发明还提供一种AMOLED驱动电路。本发明通过遮光金属层的设计，提高了AMOLED驱动电路中薄膜晶体管等器件的工作稳定性，从而提高了对应AMOLED显示装置的画面显示品质。

主权项

一种薄膜晶体管结构，其特征在于，包括：玻璃基板，缓冲层，设置在所述玻璃基板上；金属氧化物半导体层，设置在所述缓冲层上，并通过所述金属氧化物半导体层设定所述薄膜晶体管结构的主动驱动区的位置，所述金属氧化物半导体层包括源极区域、漏极区域以及沟道区域；栅绝缘层，设置在所述金属氧化物半导体层上，用于隔离所述金属氧化物半导体层以及栅极金属层；栅极金属层，设置在所述栅绝缘层上；层间绝缘层，设置在具有所述栅极金属层的玻璃基板上，用于对具有所述栅极金属层的玻璃基板进行平坦化处理，所述层间绝缘层上设置有源极接触孔以及漏极接触孔；源极金属层，设置在所述层间绝缘层上，并通过所述源极接触孔与所述金属氧化物半导体层的源极区域连接；漏极金属层，设置在所述层间绝缘层上，并通过所述漏极接触孔与所述金属氧化物半导体层的漏极区域连接；以及保护层，设置在具有所述源极金属层和所述漏极金属层的层间绝缘层上；其中所述玻璃基板和所述缓冲层之间还设置有遮光金属层，所述栅极金属层在所述玻璃基板所在平面的投影区域对齐所述遮光金属层在所述玻璃基板所在平面的投影区域，所述遮光金属层在所述玻璃基板所在平面的投影区域覆盖沟道区域的金属氧化物半导体层在所述玻璃基板所在平面的投影区域。