[发明专利]薄膜晶体管结构及AMOLED驱动电路

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管结构及AMOLED驱动电路。

背景技术

随着科技的发展，AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode，有源矩阵有机发光二极体)显示装置受到越来越多用户的喜爱。现有的AMOLED显示装置一般采用3T1C的AMOLED驱动电路，即三个薄膜晶体管和一个电容构成该AMOLED驱动电路。

现有AMOLED驱动电路中的薄膜晶体管由于出射光以及外界光的影响，会导致AMOLED驱动电路中的薄膜晶体管等器件工作不稳定，从而影响AMOLED显示装置的画面显示品质。

故，有必要提供一种薄膜晶体管结构及AMOLED驱动电路，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可提高薄膜晶体管等器件的工作稳定性，从而提高对应AMOLED显示装置的画面显示品质的薄膜晶体管结构及AMOLED驱动电路；以解决现有的薄膜晶体管结构及AMOLED驱动电路的薄膜晶体管等器件的工作稳定性较差的技术问题。

本发明实施例提供一种薄膜管结构，其包括：

玻璃基板，

缓冲层，设置在所述玻璃基板上；

金属氧化物半导体层，设置在所述缓冲层上，并通过所述金属氧化物半导体层设定所述薄膜晶体管结构的主动驱动区的位置，所述金属氧化物半导体层包括源极区域、漏极区域以及沟道区域；

栅绝缘层，设置在所述金属氧化物半导体层上，用于隔离所述金属氧化物半导体层以及栅极金属层；

栅极金属层，设置在所述栅绝缘层上；

层间绝缘层，设置在具有所述栅极金属层的玻璃基板上，用于对具有所述栅极金属层的玻璃基板进行平坦化处理，所述层间绝缘层上设置有源极接触孔以及漏极接触孔；

源极金属层，设置在所述层间绝缘层上，并通过所述源极接触孔与所述金属氧化物半导体层的源极区域连接；

漏极金属层，设置在所述层间绝缘层上，并通过所述漏极接触孔与所述金属氧化物半导体层的漏极区域连接；以及

保护层，设置在具有所述源极金属层和所述漏极金属层的层间绝缘层上；

其中所述玻璃基板和缓冲层之间还设置有遮光金属层，所述栅极金属层在所述玻璃基板所在平面的投影区域对齐所述遮光金属层在所述玻璃基板所在平面的投影区域；所述遮光金属层在所述玻璃基板所在平面的投影区域覆盖沟道区域的金属氧化物半导体层在所述玻璃基板所在平面的投影区域。

在本发明所述的薄膜晶体管结构中，所述缓冲层的厚度为4000埃以上。

在本发明所述的薄膜晶体管结构中，所述遮光金属层为钼金属层、铝金属层或铜金属层；

所述缓冲层为二氧化硅缓冲层；

所述金属氧化物半导体层为氧化铟镓锌金属氧化物半导体层或氧化铟锡锌金属氧化物半导体层；

所述栅绝缘层为氮化硅层或氧化硅层；

所述栅极金属层为钼金属层、铝金属层或铜金属层；

所述源极金属层为钼金属层、铝金属层或铜金属层；

所述漏极金属层为钼金属层、铝金属层或铜金属层；

所述层间绝缘层为氮化硅层或氧化硅层；

所述保护层为氮化硅层或氧化硅层。

在本发明所述的薄膜晶体管结构中，所述栅绝缘层为单层氮化硅层、单层氧化硅层、双层氮化硅层或双层氮化硅层。

本发明实施例还提供一种薄膜晶体管结构，其包括：

玻璃基板，

缓冲层，设置在所述玻璃基板上；

金属氧化物半导体层，设置在所述缓冲层上，并通过所述金属氧化物半导体层设定所述薄膜晶体管结构的主动驱动区的位置，所述金属氧化物半导体层包括源极区域、漏极区域以及沟道区域；

栅绝缘层，设置在所述金属氧化物半导体层上，用于隔离所述金属氧化物半导体层以及栅极金属层；

栅极金属层，设置在所述栅绝缘层上；

层间绝缘层，设置在具有所述栅极金属层的玻璃基板上，用于对具有所述栅极金属层的玻璃基板进行平坦化处理，所述层间绝缘层上设置有源极接触孔以及漏极接触孔；

源极金属层，设置在所述层间绝缘层上，并通过所述源极接触孔与所述金属氧化物半导体层的源极区域连接；

漏极金属层，设置在所述层间绝缘层上，并通过所述漏极接触孔与所述金属氧化物半导体层的漏极区域连接；以及

保护层，设置在具有所述源极金属层和所述漏极金属层的层间绝缘层上；