[发明专利]一种基于氮化硼/硫化钼/氮化硼三明治结构作为阻变功能层的阻变存储器在审
| 申请号： | 201710783863.4 | 申请日： | 2017-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN107464876A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 张楷亮;魏俊青;王芳;李毅;张志超;吴仕剑 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 天津耀达律师事务所12223 | 代理人： | 张耀 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种基于氮化硼/硫化钼/氮化硼三明治结构作为阻变功能层的阻变存储器，其阻变层为氮化硼介电薄膜和硫化钼薄膜构成的三明治结构。本发明的优点是阻变层采用氮化硼/硫化钼/氮化硼三明治结构，相比于单独氮化硼或其他氮化物介电层的阻变存储器件而言，硫化钼的插入提供了空位和缺陷，使得电荷的俘获与释放容易实现，从而降低了器件的操作电压和功耗，有利于阻变存储器件的高密度集成化，并且硫化钼的插入对单独氮化物作为介电层的阻变存储器件的开关比和数据保持能力不会产生影响。在阻变层的制备方法上，本发明给出了离子束溅射与化学气相沉积法共制备硫化钼薄膜的方法，从而可以获得大面积并且厚度可控的硫化钼薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氮化 硫化 三明治 结构 作为 功能 存储器 | ||
【主权项】：
一种基于氮化硼/硫化钼/氮化硼三明治结构作为阻变功能层的阻变存储器，其特征在于：其中阻变层为氮化硼/硫化钼/氮化硼构成的三明治结构，其中上、下氮化硼层为同种方法、相同条件下制备的氮化硼薄膜，中间层硫化钼作为插层材料插入到两层氮化硼中间，形成一种上下对称结构。
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