[发明专利]一种基于氮化硼/硫化钼/氮化硼三明治结构作为阻变功能层的阻变存储器在审
| 申请号： | 201710783863.4 | 申请日： | 2017-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN107464876A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 张楷亮;魏俊青;王芳;李毅;张志超;吴仕剑 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 天津耀达律师事务所12223 | 代理人： | 张耀 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氮化 硫化 三明治 结构 作为 功能 存储器 | ||
1.一种基于氮化硼/硫化钼/氮化硼三明治结构作为阻变功能层的阻变存储器，其特征在于：其中阻变层为氮化硼/硫化钼/氮化硼构成的三明治结构，其中上、下氮化硼层为同种方法、相同条件下制备的氮化硼薄膜，中间层硫化钼作为插层材料插入到两层氮化硼中间，形成一种上下对称结构。
2.根据权利要求1所述的基于氮化硼/硫化钼/氮化硼三明治结构作为阻变功能层的阻变存储器，其特征在于：所述三明治结构中上层和下层的氮化硼的厚度为1-50nm。
3.根据权利要求1所述的基于氮化硼/硫化钼/氮化硼三明治结构作为阻变功能层的阻变存储器，其特征在于：所述三明治结构中硫化钼插层的厚度为0.75-10nm。
4.根据权利要求1所述的基于氮化硼/硫化钼/氮化硼三明治结构作为阻变功能层的阻变存储器，其特征在于：所述上、下电极为电学性质活泼的金属铜、银、铝、镍中的一种。
5.根据权利要求1所述的基于氮化硼/硫化钼/氮化硼三明治结构作为阻变功能层的阻变存储器，其特征在于：所述的硫化钼薄膜采用离子束溅射与化学气相沉积法共制备，制备方法如下：
1)以Si片为衬底，利用热氧化方法制备300nm的SiO2绝缘层；
2)在SiO2绝缘层上采用离子束溅射方法沉积金属Mo膜，其厚度为1-20nm；
3)在真空管式炉中对Mo膜进行硫化，最终生成硫化钼薄膜；
4)采用湿法转移的方式，将硫化钼薄膜转移到底层BN薄膜上。
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