[发明专利]一种渐进式微米级蓝宝石衬底激光剥离工艺有效
| 申请号: | 201710776207.1 | 申请日: | 2017-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN107622977B | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
| 发明(设计)人: | 云峰;郭茂峰 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
| 主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/86;H01L33/00 |
| 代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 闵岳峰 |
| 地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种渐进式微米级蓝宝石衬底激光剥离工艺,包括以下步骤:1)在蓝宝石衬底表面上生长所需外延层,并根据所需将外延层进行单元区域划分;2)根据需要在单元区域之间填充导电绝缘材料:3)将外延层和转移衬底粘合在一起;4)按照逆时针或顺时针方向,利用单光束或双光束激光辐照方式,由外向内直线渐进式扫描方式进行逐点扫描,实现蓝宝石衬底和外延层分离,并获得良好的剥离效果。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 渐进 式微 蓝宝石 衬底 激光 剥离 工艺 | ||
【主权项】:
一种渐进式微米级蓝宝石衬底激光剥离工艺,其特征在于,包括以下步骤:1)在蓝宝石衬底(100)上完成外延层(101)的生长,对该外延层(101)进行单位区域划分形成沟道,在外延层单位区域间的沟道内制备硬质或柔性导电绝缘层,随后在外延层(101)表面上制备第一层粘合层;2)在整面转移衬底之上制备第二层粘合层;3)将第一层粘合层和第二层粘合层粘附在一起,从而将转移衬底和外延层连接在一起;4)选择光斑形貌、激光能量和激光光束,利用光斑或载具进行微米级移动,采用直线型向内渐进式逐点扫描,最终将蓝宝石衬底(100)和外延层(101)完整的分开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





