[发明专利]一种3DNAND存储器件的金属栅极制备方法

摘要

本申请实施例公开了一种3D NAND存储器件的金属栅极制备方法。在该制备方法中，为了提高金属栅极的性能，在形成金属栅极之后，对形成的金属栅极进行退火处理。在退火处理过程中，一方面能够使得聚集在金属栅极晶界面的杂质逸出，减少杂质含量，进而降低金属栅极的电阻率。另一方面能够使得金属栅极内部的晶粒进行重结晶，从而提高金属栅极的结晶度，如此，能够使得晶界面处导致的应力集中得以释放。因此，通过对金属栅极进行退火处理，降低了金属栅的电阻率和应力，提高了金属栅极的性能。

主权项

一种3D NAND存储器件的金属栅极制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有氧化硅层和氮化硅层交替层叠结构；去除所述层叠结构中的氮化硅层，形成横向沟槽阵列；沿所述横向沟槽阵列的横向沟槽表面淀积阻挡层；向淀积有阻挡层的横向沟槽阵列的横向沟槽内填充金属介质，形成金属栅极；对所述金属栅极进行退火处理。