[发明专利]一种3DNAND存储器件的金属栅极制备方法在审
| 申请号： | 201710775168.3 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107425007A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 许爱春;李远;彭浩;左明光;詹侃;唐浩;万先进;郁赛华 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/11556;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 赵秀芹,王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 dnand 存储 器件 金属 栅极 制备 方法 | ||
1.一种3D NAND存储器件的金属栅极制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有氧化硅层和氮化硅层交替层叠结构；
去除所述层叠结构中的氮化硅层，形成横向沟槽阵列；
沿所述横向沟槽阵列的横向沟槽表面淀积阻挡层；
向淀积有阻挡层的横向沟槽阵列的横向沟槽内填充金属介质，形成金属栅极；
对所述金属栅极进行退火处理。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述向淀积有阻挡层的横向沟槽阵列的横向沟槽内填充金属介质，形成金属栅极，具体包括：
通过化学气相沉积方法向淀积有阻挡层的横向沟槽阵列的横向沟槽内填充金属介质，形成金属栅极。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积方法为低温化学气相沉积方法。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述向淀积有阻挡层的横向沟槽阵列的横向沟槽内填充金属介质，形成金属栅极，具体包括：
通过原子层沉积方法向淀积有阻挡层的横向沟槽阵列的横向沟槽内填充金属介质，形成金属栅极。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述金属栅极进行退火处理，具体包括：
通过炉管高温退火方式所述金属栅极进行退火处理。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为600～1000℃，时间为10分钟～120分钟。
7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述金属介质为金属钨。
8.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为高k介电常数材料。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述高k介电常数材料为Si3N4，SiON，Ta2O5，TiO2，TiN，Al2O3，Pr2O3，La2O3，LaAlO3，HfO2，ZrO2中的至少一种。
10.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述去除所述层叠结构中的氮化硅层，形成横向沟槽阵列，具体包括：
采用液相化学刻蚀方法去除所述层叠结构中的氮化硅层，形成横向沟槽阵列。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
