[发明专利]一种利用氢等离子体去除在硅衬底上制备的金刚石窗口的表面碳化硅的方法有效
| 申请号： | 201710774121.5 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107546109B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 马志斌;任昱霖;李艳春 | 申请（专利权）人： | 武汉工程大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用氢等离子体去除在硅衬底上制备的金刚石窗口的表面碳化硅的方法，包括如下步骤：利用丙酮将去除硅衬底的金刚石薄膜窗口材料进行超声清洗；将清洗后的金刚石薄膜窗口含硅杂质的一面向上放置于离子体装置反应腔中的基片台上并对腔体抽真空；待真空度下降到标准真空度后通入氢气；用氢等离子体刻蚀金刚石薄膜窗口，直至碳化硅完全还原成硅；最后用硝酸与氢氟酸腐蚀去除硅。本发明利用氢等离子体将金刚石窗口表面的碳化硅还原成硅并用酸去除，在没有破坏金刚石窗口薄膜的前提下有效去除了残留在金刚石窗口表面的碳化硅等大分子杂质，减少了大分子杂质对金刚石薄膜窗口电子束的干扰和吸收，极大的提升了金刚石窗口的热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 等离子体 去除 衬底 制备 金刚石 窗口 表面 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用氢等离子体去除在硅衬底上制备的金刚石窗口的表面碳化硅的方法，其特征在于，包含如下步骤：/n第一步，将去除硅衬底的金刚石薄膜窗口进行超声清洗，干燥后待用；/n第二步，将第一步清洗后的金刚石薄膜窗口含硅杂质的一面向上放置于等离子体装置反应腔中的基片台上，并对腔室抽真空；/n第三步，待真空度下降到标准真空度后通入氢气；所述标准真空度为1Pa以下；/n第四步，激发产生氢等离子体，用氢等离子体刻蚀金刚石薄膜窗口，直至碳化硅层完全还原成硅；/n第五步，待刻蚀结束后，取出金刚石薄膜窗口，用硝酸与氢氟酸腐蚀去除硅。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
