[发明专利]一种利用氢等离子体去除在硅衬底上制备的金刚石窗口的表面碳化硅的方法

权利要求书

1.一种利用氢等离子体去除在硅衬底上制备的金刚石窗口的表面碳化硅的方法，其特征在于，包含如下步骤：

第一步，将去除硅衬底的金刚石薄膜窗口进行超声清洗，干燥后待用；

第二步，将第一步清洗后的金刚石薄膜窗口含硅杂质的一面向上放置于等离子体装置反应腔中的基片台上，并对腔室抽真空；

第三步，待真空度下降到标准真空度后通入氢气；所述标准真空度为1Pa以下；

第四步，激发产生氢等离子体，用氢等离子体刻蚀金刚石薄膜窗口，直至碳化硅层完全还原成硅；

第五步，待刻蚀结束后，取出金刚石薄膜窗口，用硝酸与氢氟酸腐蚀去除硅。

2.如权利要求1所述的利用氢等离子体去除在硅衬底上制备的金刚石窗口的表面碳化硅的方法，其特征在于：第一步中，所述超声清洗为分别用乙醇、丙酮进行超声波清洗。

3.如权利要求1所述的利用氢等离子体去除在硅衬底上制备的金刚石窗口的表面碳化硅的方法，其特征在于：所述第三步中，氢气流量为120～200sccm。

4.如权利要求1所述的利用氢等离子体去除在硅衬底上制备的金刚石窗口的表面碳化硅的方法，其特征在于：所述第四步中，氢等离子体源功率为600～1000W,工作气压为10～12kPa。

5.如权利要求1所述的利用氢等离子体去除在硅衬底上制备的金刚石窗口的表面碳化硅的方法，其特征在于：所述第四步中，处理时间为0.5～1h。

6.如权利要求1所述的利用氢等离子体去除在硅衬底上制备的金刚石窗口的表面碳化硅的方法，其特征在于：所述第五步中，硝酸与氢氟酸的体积比例为3:1，腐蚀时间2～3min。