[发明专利]一种3D NAND器件中沟道层的形成方法及晶圆盒结构有效
| 申请号： | 201710772366.4 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107579072B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 王秉国;王家友;万先进;吴关平;吴俊;郁赛华;蒲浩 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568;H01L21/673 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种3D NAND器件中沟道层的形成方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有堆叠层、所述堆叠层中的沟道孔以及所述沟道孔内壁上的电荷捕获层，所述堆叠层由氮化硅层和氧化硅层交替层叠而成，在沟道孔的侧壁上形成第一多晶硅层，将所述形成有第一多晶硅层的衬底置于惰性气体环境或氮气环境中，在所述沟道孔中形成第二多晶硅层。该方法中，在形成第一多晶硅层之后、形成第二多晶硅层之前，将衬底置于惰性气体或氮气环境中，这样，可以有效抑制在进行第二多晶硅层生长前的等待过程中第一多晶硅层的自然氧化，减少了沟道层中氧化硅的占比，从而降低了沟道电阻，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dnand 器件 沟道 形成 方法 晶圆盒 结构 | ||
【主权项】：
1.一种3D NAND器件中沟道层的形成方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底上形成有堆叠层、所述堆叠层中的沟道孔以及所述沟道孔内壁上的电荷捕获层；所述堆叠层由氮化硅层和氧化硅层交替层叠而成；/n在沟道孔的侧壁上形成第一多晶硅层；/n将形成有所述第一多晶硅层的衬底置于惰性气体或氮气环境中；所述惰性气体或者氮气环境由晶圆盒提供；/n在所述沟道孔中形成第二多晶硅层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
